Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: Digital Imaging, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Capacitive and Resistive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 3 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: Digital Imaging, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Capacitive and Resistive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 3 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (3), Permohonan: DC Motors, General Purpose, Antara muka: SPI, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 800 mOhm LS, 800 mOhm HS,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: DC Motors, General Purpose, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: DMOS, Rds Hidup (Jenis): 18.2 mOhm LS (Max), 12.3 mOhm HS (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Permohonan: DC Motors, Stepper Motors, Voltage Regulators, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: DMOS, Rds Hidup (Jenis): 300 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Permohonan: DC Motors, Stepper Motors, Voltage Regulators, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: DMOS, Rds Hidup (Jenis): 300 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: DC Motors, General Purpose, Relays, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 95 mOhm (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (4), Permohonan: DC Motors, Stepper Motors, Voltage Regulators, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: DMOS, Rds Hidup (Jenis): 300 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: DC Motors, General Purpose, Relays, Antara muka: Logic, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 160 mOhm (Max),
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: DC Motors, Solenoids, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: NMOS, Rds Hidup (Jenis): 280 mOhm LS + HS,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 150 mOhm,