Ingatan

CY7C1413KV18-333BZXI

bahagian bahagian: 1073

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 333MHz,

CY7C1312KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 2250

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY14B108N-ZSP25XIT

bahagian bahagian: 1748

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1441KV33-133AXC

bahagian bahagian: 1426

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1370KV25-167BZC

bahagian bahagian: 2264

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C138-25JC

bahagian bahagian: 10001

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1423KV18-300BZC

bahagian bahagian: 1446

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1069DV33-10BVXI

bahagian bahagian: 1732

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1049CV33-20VC

bahagian bahagian: 9747

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

CY7C1411KV18-250BZC

bahagian bahagian: 2040

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY62128BLL-70SC

bahagian bahagian: 8631

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY7C1413KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 1484

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1460AV33-167BZC

bahagian bahagian: 1228

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1461KV33-133AXCT

bahagian bahagian: 1759

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C019-15AC

bahagian bahagian: 8959

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 1.152Mb (128K x 9), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1415KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 2054

CY7C1061GN30-10BVXIT

bahagian bahagian: 177

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY14E116L-ZS25XIT

bahagian bahagian: 1464

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B116S-BZ25XIT

bahagian bahagian: 1359

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1061G30-10ZXI

bahagian bahagian: 2069

CY14B116N-ZSP45XIT

bahagian bahagian: 1380

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1418KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 1457

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1415KV18-250BZXC

bahagian bahagian: 1542

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY14V116G7-BZ30XIT

bahagian bahagian: 1242

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 30ns,

CY14B116M-BZ45XIT

bahagian bahagian: 1255

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1415KV18-250BZI

bahagian bahagian: 1547

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1444KV33-250AXC

bahagian bahagian: 1449

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C025-25JC

bahagian bahagian: 9098

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 128Kb (8K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B104LA-ZS25XI

bahagian bahagian: 2261

CY7C1418KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 1993

CY7C1312KV18-300BZXI

bahagian bahagian: 2156

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1412AV18-200BZXC

bahagian bahagian: 1384

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C1414KV18-333BZC

bahagian bahagian: 1687

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 333MHz,

CY7C1061G18-15ZSXI

bahagian bahagian: 2209

CY14B104K-ZS45XI

bahagian bahagian: 2535

CY62128VLL-70ZC

bahagian bahagian: 8700

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,