Ingatan

IS42SM16160E-6BLI-TR

IS42SM16160E-6BLI-TR

bahagian bahagian: 5036

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61NLP25636A-200B2I-TR

IS61NLP25636A-200B2I-TR

bahagian bahagian: 2422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS49NLS18320-25BLI

IS49NLS18320-25BLI

bahagian bahagian: 1359

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
IS61QDB21M36A-250M3L

IS61QDB21M36A-250M3L

bahagian bahagian: 2556

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QUAD, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
IS45S32400E-6BLA1

IS45S32400E-6BLA1

bahagian bahagian: 5941

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS49NLC18160-25BL

IS49NLC18160-25BL

bahagian bahagian: 9822

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
IS43LR32800F-6BL

IS43LR32800F-6BL

bahagian bahagian: 7077

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS62WV25616DALL-55BI

IS62WV25616DALL-55BI

bahagian bahagian: 4220

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS42S16320B-6BLI-TR

IS42S16320B-6BLI-TR

bahagian bahagian: 8550

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42SM32400G-6BLI-TR

IS42SM32400G-6BLI-TR

bahagian bahagian: 5542

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS45S16160D-7TLA2

IS45S16160D-7TLA2

bahagian bahagian: 8191

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS41C16257C-35TLI-TR

IS41C16257C-35TLI-TR

bahagian bahagian: 2917

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM - FP, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16),

Senarai harapan
IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

bahagian bahagian: 2227

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS49NLS96400-33BL

IS49NLS96400-33BL

bahagian bahagian: 1779

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 300MHz,

Senarai harapan
IS49NLC36160-25BLI

IS49NLC36160-25BLI

bahagian bahagian: 135

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
IS61LF51236A-7.5B3LI

IS61LF51236A-7.5B3LI

bahagian bahagian: 2153

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS29LV032B-70BLI

IS29LV032B-70BLI

bahagian bahagian: 431

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS62WV25616DBLL-45BI-TR

IS62WV25616DBLL-45BI-TR

bahagian bahagian: 4280

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR

bahagian bahagian: 5389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS25LQ512A-JNLE

IS25LQ512A-JNLE

bahagian bahagian: 2303

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 80MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 400µs,

Senarai harapan
IS42S32200E-5TL

IS42S32200E-5TL

bahagian bahagian: 5546

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS42RM32400G-6BLI-TR

IS42RM32400G-6BLI-TR

bahagian bahagian: 3071

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43LR32200B-6BLI-TR

IS43LR32200B-6BLI-TR

bahagian bahagian: 7018

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46DR16640B-25EBLA1

IS46DR16640B-25EBLA1

bahagian bahagian: 9167

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE1M16BLL-70BLI

IS66WVE1M16BLL-70BLI

bahagian bahagian: 3301

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS25LD020-JKLE-TR

IS25LD020-JKLE-TR

bahagian bahagian: 1955

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS42VM32200K-75BLI

IS42VM32200K-75BLI

bahagian bahagian: 5996

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS25CD512-JNLE-TR

IS25CD512-JNLE-TR

bahagian bahagian: 1926

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS42RM32800D-75BLI-TR

IS42RM32800D-75BLI-TR

bahagian bahagian: 3513

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS43TR16128A-15HBL-TR

IS43TR16128A-15HBL-TR

bahagian bahagian: 7646

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LR32100C-6BL

IS43LR32100C-6BL

bahagian bahagian: 6890

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 32Mb (1M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS62WV102416BLL-25MI

IS62WV102416BLL-25MI

bahagian bahagian: 3066

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS46LR32160B-6BLA2-TR

IS46LR32160B-6BLA2-TR

bahagian bahagian: 4477

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS62WV25616DBLL-45BLI

IS62WV25616DBLL-45BLI

bahagian bahagian: 3180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS61NVP51236-200B3LI

IS61NVP51236-200B3LI

bahagian bahagian: 2539

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan