Ingatan

IS42S32200C1-7TL-TR

IS42S32200C1-7TL-TR

bahagian bahagian: 385

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42S16100C1-5TL-TR

IS42S16100C1-5TL-TR

bahagian bahagian: 336

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS65WV102416DBLL-55CTLA3

IS65WV102416DBLL-55CTLA3

bahagian bahagian: 6631

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS42S32400B-6BL

IS42S32400B-6BL

bahagian bahagian: 437

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42S32200C1-6T

IS42S32200C1-6T

bahagian bahagian: 441

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42VM32160D-6BLI

IS42VM32160D-6BLI

bahagian bahagian: 5295

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS46DR16128C-3DBLA1-TR

IS46DR16128C-3DBLA1-TR

bahagian bahagian: 4790

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-6BL-TR

IS42S32160F-6BL-TR

bahagian bahagian: 5515

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS42S32200C1-7B-TR

IS42S32200C1-7B-TR

bahagian bahagian: 503

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR

IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR

bahagian bahagian: 6112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS34MW04G084-TLI

IS34MW04G084-TLI

bahagian bahagian: 425

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS46TR16128AL-125KBLA1

IS46TR16128AL-125KBLA1

bahagian bahagian: 5104

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46TR16128B-125KBLA2

IS46TR16128B-125KBLA2

bahagian bahagian: 5583

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61WV25632BLL-10BLI

IS61WV25632BLL-10BLI

bahagian bahagian: 6239

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (256K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS46LR32160B-6BLA1-TR

IS46LR32160B-6BLA1-TR

bahagian bahagian: 5305

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS43TR16256AL-125KBLI

IS43TR16256AL-125KBLI

bahagian bahagian: 5205

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S16320F-6TLI-TR

IS42S16320F-6TLI-TR

bahagian bahagian: 5509

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS46TR16128A-125KBLA2-TR

IS46TR16128A-125KBLA2-TR

bahagian bahagian: 5281

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S16320F-7BLI-TR

IS42S16320F-7BLI-TR

bahagian bahagian: 5565

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42S32400D-7B

IS42S32400D-7B

bahagian bahagian: 2096

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61WV102416FBLL-10BLI

IS61WV102416FBLL-10BLI

bahagian bahagian: 151

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS46LR16320C-6BLA2

IS46LR16320C-6BLA2

bahagian bahagian: 5131

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S16320F-7TLI-TR

IS42S16320F-7TLI-TR

bahagian bahagian: 5636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS43DR82560C-3DBLI-TR

IS43DR82560C-3DBLI-TR

bahagian bahagian: 109

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S32800B-7BL-TR

IS42S32800B-7BL-TR

bahagian bahagian: 576

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS25LD040-JNLE

IS25LD040-JNLE

bahagian bahagian: 1627

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS42S86400D-7TL-TR

IS42S86400D-7TL-TR

bahagian bahagian: 5642

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS46LR16320B-6BLA1-TR

IS46LR16320B-6BLA1-TR

bahagian bahagian: 5668

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS61VPS25636A-200TQLI-TR

IS61VPS25636A-200TQLI-TR

bahagian bahagian: 6332

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS46LR32160C-6BLA1

IS46LR32160C-6BLA1

bahagian bahagian: 5501

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS61WV51216BLL-10MLI-TR

IS61WV51216BLL-10MLI-TR

bahagian bahagian: 6607

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-7TL-TR

IS42S32160F-7TL-TR

bahagian bahagian: 5803

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61NVP25636A-200TQLI-TR

IS61NVP25636A-200TQLI-TR

bahagian bahagian: 6335

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS43LR16800F-6BLI

IS43LR16800F-6BLI

bahagian bahagian: 8182

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61LPS51218A-200TQLI-TR

IS61LPS51218A-200TQLI-TR

bahagian bahagian: 6372

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS62WV5128DBLL-45HLI

IS62WV5128DBLL-45HLI

bahagian bahagian: 818

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan