Ingatan

IS64WV12816EDBLL-10BLA3

IS64WV12816EDBLL-10BLA3

bahagian bahagian: 72

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS34ML01G081-BLI

IS34ML01G081-BLI

bahagian bahagian: 1337

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS43TR16128B-15HBL

IS43TR16128B-15HBL

bahagian bahagian: 12349

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS64WV12816DBLL-12CTLA3

IS64WV12816DBLL-12CTLA3

bahagian bahagian: 12302

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS46DR16320D-3DBLA1-TR

IS46DR16320D-3DBLA1-TR

bahagian bahagian: 10488

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16160G-7BLA1

IS45S16160G-7BLA1

bahagian bahagian: 10034

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS43LR16160G-6BL-TR

IS43LR16160G-6BL-TR

bahagian bahagian: 10879

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16800F-7BLA2

IS45S16800F-7BLA2

bahagian bahagian: 10860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS34MW01G164-BLI

IS34MW01G164-BLI

bahagian bahagian: 1420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS62WV51216EFBLL-45BLI

IS62WV51216EFBLL-45BLI

bahagian bahagian: 101

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR

IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR

bahagian bahagian: 11939

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS45S16160J-7CTLA2-TR

IS45S16160J-7CTLA2-TR

bahagian bahagian: 10942

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS62WV51216GBLL-45TLI

IS62WV51216GBLL-45TLI

bahagian bahagian: 111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS66WVE4M16ECLL-70BLI

IS66WVE4M16ECLL-70BLI

bahagian bahagian: 13198

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS42SM16160K-6BLI

IS42SM16160K-6BLI

bahagian bahagian: 10339

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61LV25616AL-10TI

IS61LV25616AL-10TI

bahagian bahagian: 12350

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S16160G-6TLA1 -TR

IS45S16160G-6TLA1 -TR

bahagian bahagian: 12210

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43TR16640B-125KBLI

IS43TR16640B-125KBLI

bahagian bahagian: 103

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR

IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR

bahagian bahagian: 11586

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4.5Mb (256K x 18), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS46DR16640C-25DBLA1-TR

IS46DR16640C-25DBLA1-TR

bahagian bahagian: 99

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16320C-25DBLI-TR

IS43DR16320C-25DBLI-TR

bahagian bahagian: 10385

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR81280C-25DBLI-TR

IS43DR81280C-25DBLI-TR

bahagian bahagian: 137

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE4M16EBLL-55BLI

IS66WVE4M16EBLL-55BLI

bahagian bahagian: 14092

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS46DR16640C-3DBLA1-TR

IS46DR16640C-3DBLA1-TR

bahagian bahagian: 147

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS41LV16100D-50KLI

IS41LV16100D-50KLI

bahagian bahagian: 90

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM - EDO, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16),

Senarai harapan
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

bahagian bahagian: 15290

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ns,

Senarai harapan
IS64WV6416BLL-15TLA3

IS64WV6416BLL-15TLA3

bahagian bahagian: 14111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46DR16160B-25DBLA1

IS46DR16160B-25DBLA1

bahagian bahagian: 10110

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S83200G-6TL

IS42S83200G-6TL

bahagian bahagian: 11422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43R86400F-6BL

IS43R86400F-6BL

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43TR16640B-15GBLI-TR

IS43TR16640B-15GBLI-TR

bahagian bahagian: 11498

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43R16160D-5BL

IS43R16160D-5BL

bahagian bahagian: 11626

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LR16160G-6BL

IS43LR16160G-6BL

bahagian bahagian: 9860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46R16160D-5TLA1

IS46R16160D-5TLA1

bahagian bahagian: 10013

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42VM16160K-6BLI

IS42VM16160K-6BLI

bahagian bahagian: 10598

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42RM16160K-75BLI

IS42RM16160K-75BLI

bahagian bahagian: 10855

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan