Ingatan

11LC080-E/MS

11LC080-E/MS

bahagian bahagian: 198909

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC080T-E/MS

11LC080T-E/MS

bahagian bahagian: 103321

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA02E48T-I/TT

11AA02E48T-I/TT

bahagian bahagian: 112721

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC040-E/P

11LC040-E/P

bahagian bahagian: 176294

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC080T-E/MNY

11LC080T-E/MNY

bahagian bahagian: 181583

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA02E64T-I/TT

11AA02E64T-I/TT

bahagian bahagian: 152425

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC040T-E/MNY

11LC040T-E/MNY

bahagian bahagian: 103344

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC040-E/MS

11LC040-E/MS

bahagian bahagian: 164258

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA161-I/P

11AA161-I/P

bahagian bahagian: 127792

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160T-E/SN

11LC160T-E/SN

bahagian bahagian: 155830

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161T-E/SN

11LC161T-E/SN

bahagian bahagian: 149765

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC020-E/P

11LC020-E/P

bahagian bahagian: 125832

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161-E/SN

11LC161-E/SN

bahagian bahagian: 125450

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161-I/P

11LC161-I/P

bahagian bahagian: 129009

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160-E/SN

11LC160-E/SN

bahagian bahagian: 133714

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC040T-E/MS

11LC040T-E/MS

bahagian bahagian: 124090

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC040-I/P

11LC040-I/P

bahagian bahagian: 168475

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA160-I/TO

11AA160-I/TO

bahagian bahagian: 124225

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA02UIDT-I/TT

11AA02UIDT-I/TT

bahagian bahagian: 103902

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA161-I/MS

11AA161-I/MS

bahagian bahagian: 164096

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161-I/MS

11LC161-I/MS

bahagian bahagian: 183913

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161T-I/MNY

11LC161T-I/MNY

bahagian bahagian: 110553

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA160T-I/MNY

11AA160T-I/MNY

bahagian bahagian: 140493

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160T-I/MNY

11LC160T-I/MNY

bahagian bahagian: 190928

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161T-E/TT

11LC161T-E/TT

bahagian bahagian: 193811

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC020T-E/MS

11LC020T-E/MS

bahagian bahagian: 174223

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC080T-E/SN

11LC080T-E/SN

bahagian bahagian: 135549

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160-I/MS

11LC160-I/MS

bahagian bahagian: 158868

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA160T-I/MS

11AA160T-I/MS

bahagian bahagian: 119151

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC080-E/SN

11LC080-E/SN

bahagian bahagian: 165163

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC020T-E/MNY

11LC020T-E/MNY

bahagian bahagian: 193164

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160T-I/MS

11LC160T-I/MS

bahagian bahagian: 164636

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC161T-I/MS

11LC161T-I/MS

bahagian bahagian: 191882

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11AA161T-I/MNY

11AA161T-I/MNY

bahagian bahagian: 118653

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC010-E/P

11LC010-E/P

bahagian bahagian: 141706

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
11LC160T-E/TT

11LC160T-E/TT

bahagian bahagian: 158302

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan