Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 150 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge (2), Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 150 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: PWM, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 100 mOhm,