Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 1.53 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 400 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 1 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 740 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 600 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 1 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 740 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 260 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 600 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Permohonan: General Purpose, Antara muka: On/Off, Jenis Beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Hidup (Jenis): 1.53 Ohm,