Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 21

BLS9G3135LS-400U

bahagian bahagian: 110

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 12dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 4µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL8H1214LS-500U

bahagian bahagian: 223

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS8G2731LS-400PU

bahagian bahagian: 135

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 3.1GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL6H0514LS-130,11

bahagian bahagian: 423

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 18A,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLA8H0910LS-500U

bahagian bahagian: 235

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 900MHz ~ 930MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL9G1214LS-600U

bahagian bahagian: 157

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 5µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS7G2325L-105,112

bahagian bahagian: 303

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.5GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 10V, Peringkat Semasa: 5µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS9G3135L-400U

bahagian bahagian: 154

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 12dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 4µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS6G3135S-20,112

bahagian bahagian: 470

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 2.1A,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS6G2735LS-30,112

bahagian bahagian: 347

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL9G1214L-600U

bahagian bahagian: 172

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 5µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLA9G1011L-300GU

bahagian bahagian: 139

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 21.8dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 4.2µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS7G3135LS-350P,1

bahagian bahagian: 149

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 3.5GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLA6G1011LS-200RG,

bahagian bahagian: 329

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 49A,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC10M6XS200Z

bahagian bahagian: 950

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 425MHz ~ 450MHz, Keuntungan: 19.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 4.2µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS6G3135-20,112

bahagian bahagian: 481

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 2.1A,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF578XR,112

bahagian bahagian: 278

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 225MHz, Keuntungan: 23.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC2425M10LS250Z

bahagian bahagian: 158

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Keuntungan: 14.4dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC8G27LS-140AVZ

bahagian bahagian: 790

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.69GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF879P,112

bahagian bahagian: 482

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 42V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF644PU

bahagian bahagian: 559

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 23.5dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL8H0514L-130U

bahagian bahagian: 394

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF1721M8LS200U

bahagian bahagian: 358

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC9G15LS-400AVTZ

bahagian bahagian: 509

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1452MHz ~ 1511MHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF8G27LS-150VU

bahagian bahagian: 924

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.6GHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF8G22LS-140U

bahagian bahagian: 1122

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF9G38LS-90PU

bahagian bahagian: 710

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC10G18XS-360AVTZ

bahagian bahagian: 292

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 18dB,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC8G24LS-241AVZ

bahagian bahagian: 635

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLL8H1214L-250U

bahagian bahagian: 259

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLF189XRBSU

bahagian bahagian: 267

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 108MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLS6G2731-6G,112

bahagian bahagian: 827

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 3.5A,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC9G27LS-151AVZ

bahagian bahagian: 842

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.69GHz, Keuntungan: 15.6dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC10G18XS-400AVTZ

bahagian bahagian: 307

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 15.7dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLA6H0912L-1000U

bahagian bahagian: 149

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1.03GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

Ampleon USA Inc.

BLC10G22XS-400AVTZ

bahagian bahagian: 292

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

Senarai harapan