Ingatan

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

bahagian bahagian: 4912

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
RMLV0416EGSB-4S2#AA0

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

bahagian bahagian: 4976

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
RMLV0416EGSB-4S2#HA0

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

bahagian bahagian: 4968

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
HN58X25256FPIAG#S0

HN58X25256FPIAG#S0

bahagian bahagian: 7301

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV3216RSA-5SR#S0

R1LV3216RSA-5SR#S0

bahagian bahagian: 2787

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
R1LV0108ESN-7SR#S0

R1LV0108ESN-7SR#S0

bahagian bahagian: 1295

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
RMLV0408EGSB-4S2#HA0

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

bahagian bahagian: 4969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
RMLV0408EGSA-4S2#KA0

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

bahagian bahagian: 4966

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
R1EX25512ATA00I#U0

R1EX25512ATA00I#U0

bahagian bahagian: 2967

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV0108ESN-7SR#B0

R1LV0108ESN-7SR#B0

bahagian bahagian: 1286

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1LP0108ESN-7SR#S0

R1LP0108ESN-7SR#S0

bahagian bahagian: 1264

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1LV3216RSA-7SR#S0

R1LV3216RSA-7SR#S0

bahagian bahagian: 2847

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
RMLV0408EGSA-4S2#AA0

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

bahagian bahagian: 4970

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
RMLV0414EGSB-4S2#HA0

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

bahagian bahagian: 4987

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
R1LV0108ESN-5SR#B0

R1LV0108ESN-5SR#B0

bahagian bahagian: 1209

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
HN58X25128FPIAG#S0

HN58X25128FPIAG#S0

bahagian bahagian: 2777

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV0108ESN-7SI#S0

R1LV0108ESN-7SI#S0

bahagian bahagian: 1290

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
RMLV0414EGSB-4S2#AA0

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

bahagian bahagian: 5022

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
R1LV3216RSA-7SR#B0

R1LV3216RSA-7SR#B0

bahagian bahagian: 2826

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1EX24064ASAS0I#U0

R1EX24064ASAS0I#U0

bahagian bahagian: 2743

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1RW0416DSB-2PI#B0

R1RW0416DSB-2PI#B0

bahagian bahagian: 3101

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
HM28100TTI5SE

HM28100TTI5SE

bahagian bahagian: 5535

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
R1WV6416RSD-5SI#S0

R1WV6416RSD-5SI#S0

bahagian bahagian: 3565

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
R1EX24256BSAS0I#K0

R1EX24256BSAS0I#K0

bahagian bahagian: 9012

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV1616RBG-7SR#S0

R1LV1616RBG-7SR#S0

bahagian bahagian: 2262

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1EX24512BTAS0I#S0

R1EX24512BTAS0I#S0

bahagian bahagian: 2254

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV5256ESA-5SI#B0

R1LV5256ESA-5SI#B0

bahagian bahagian: 9180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
R1LV0108ESN-7SI#B0

R1LV0108ESN-7SI#B0

bahagian bahagian: 8974

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1EX24002ATAS0I#S0

R1EX24002ATAS0I#S0

bahagian bahagian: 2250

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1EX24128BSAS0I#K0

R1EX24128BSAS0I#K0

bahagian bahagian: 8961

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1EX25008ATA00I#S0

R1EX25008ATA00I#S0

bahagian bahagian: 2254

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV5256ESA-5SI#S0

R1LV5256ESA-5SI#S0

bahagian bahagian: 2391

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
R1WV3216RBG-7SR#B0

R1WV3216RBG-7SR#B0

bahagian bahagian: 9415

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1EX24008ASAS0I#U0

R1EX24008ASAS0I#U0

bahagian bahagian: 6440

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
R1LV0816ASB-7SI#B0

R1LV0816ASB-7SI#B0

bahagian bahagian: 9244

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
R1LP0108ESF-5SI#B0

R1LP0108ESF-5SI#B0

bahagian bahagian: 8844

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan