Type. | Perihalan |
Status Bahagian | Active |
---|---|
Jenis FET | N-Channel |
Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
Saliran ke Voltan Sumber (Vdss) | 1200V |
Semasa - Saliran Berterusan (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltan Pandu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup) | 20V |
Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V |
Vgs (th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Bayaran Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 22nC @ 20V |
Vgs (Maks) | +25V, -10V |
Kapasiti Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 290pF @ 400V |
Ciri FET | - |
Kekurangan Kuasa (Maks) | 150W (Tc) |
Suhu Operasi | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Through Hole |
Pakej Peranti Pembekal | HiP247™ |
Pakej / Kes | TO-247-3 |
Status RoHS. | Patuh roh |
---|---|
Tahap Kepekaan Kelembapan (MSL) | Tidak berkenaan |
Status kitaran hayat | Usang / akhir hidup |
Kategori saham | Saham yang ada |