Ingatan

QMP29GL01GP12FFI020

QMP29GL01GP12FFI020

bahagian bahagian: 1665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
CY62162G30-45BGXI

CY62162G30-45BGXI

bahagian bahagian: 4422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S29GL512P10FAIR22

S29GL512P10FAIR22

bahagian bahagian: 2095

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S29PL127J60BAW000

S29PL127J60BAW000

bahagian bahagian: 7395

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S34ML08G201BHV000

S34ML08G201BHV000

bahagian bahagian: 3420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL512P10FFI010

S29GL512P10FFI010

bahagian bahagian: 5451

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S29GL512P11FAI012

S29GL512P11FAI012

bahagian bahagian: 2073

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY62167G30-55BVXE

CY62167G30-55BVXE

bahagian bahagian: 4412

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
S29PL064J60BAW122

S29PL064J60BAW122

bahagian bahagian: 12746

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S99FL116K0001 P
Senarai harapan
S99-50348

S99-50348

bahagian bahagian: 3378

Senarai harapan
S29GL512P11FAI010

S29GL512P11FAI010

bahagian bahagian: 2089

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XWEN009

S25FL116K0XWEN009

bahagian bahagian: 3214

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34MS01G200BHB003

S34MS01G200BHB003

bahagian bahagian: 17756

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY7C1061GN30-10BVJXI

CY7C1061GN30-10BVJXI

bahagian bahagian: 121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
CG8251AAT

CG8251AAT

bahagian bahagian: 5327

Senarai harapan
S25FL032P0XMFI011M

S25FL032P0XMFI011M

bahagian bahagian: 2850

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY62256NLL-70SNXAT

CY62256NLL-70SNXAT

bahagian bahagian: 26787

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS29GL01GS-11DHV01-TR

IS29GL01GS-11DHV01-TR

bahagian bahagian: 7477

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
IS29GL256S-10DHB023

IS29GL256S-10DHB023

bahagian bahagian: 5953

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL512P10FFI020

S29GL512P10FFI020

bahagian bahagian: 5497

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S29GL01GP12FAI010

S29GL01GP12FAI010

bahagian bahagian: 1999

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
QMP29GL01GP12TFI020

QMP29GL01GP12TFI020

bahagian bahagian: 1721

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
CY7C0241E-15AXI

CY7C0241E-15AXI

bahagian bahagian: 4548

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 72Kb (4K x 18), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
S25FL064P0XMFI001M

S25FL064P0XMFI001M

bahagian bahagian: 3063

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34ML02G200BHB000

S34ML02G200BHB000

bahagian bahagian: 7862

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL512P10FFIR10W

S29GL512P10FFIR10W

bahagian bahagian: 2089

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S34MS02G200TFI003

S34MS02G200TFI003

bahagian bahagian: 12787

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS29GL256S-10DHV020

IS29GL256S-10DHV020

bahagian bahagian: 609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL512P11TAI010

S29GL512P11TAI010

bahagian bahagian: 2175

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CG8255AAT

CG8255AAT

bahagian bahagian: 9593

Senarai harapan
QMP29GL512P11TFI020

QMP29GL512P11TFI020

bahagian bahagian: 9282

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan
CB867-80053

CB867-80053

bahagian bahagian: 2693

Senarai harapan
QMP9GL512P11FFI010

QMP9GL512P11FFI010

bahagian bahagian: 1925

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan
S34SL01G200BHV003

S34SL01G200BHV003

bahagian bahagian: 16972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
V29GL512P11TAI020

V29GL512P11TAI020

bahagian bahagian: 2571

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan