Ingatan

CG8251AA

CG8251AA

bahagian bahagian: 2658

Senarai harapan
S70FL256P0XBHI210B

S70FL256P0XBHI210B

bahagian bahagian: 10048

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs,

Senarai harapan
CY62167GE30-45BVXI

CY62167GE30-45BVXI

bahagian bahagian: 4422

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XMFN043

S25FL116K0XMFN043

bahagian bahagian: 3600

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34SL04G200BHV003

S34SL04G200BHV003

bahagian bahagian: 8388

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
S70GL02GP11FAIR20

S70GL02GP11FAIR20

bahagian bahagian: 2271

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

Senarai harapan
S34ML08G201BHB003

S34ML08G201BHB003

bahagian bahagian: 4574

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
QMP9GL512P11TFI020

QMP9GL512P11TFI020

bahagian bahagian: 1931

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan
S29GL01GP11FFIR23

S29GL01GP11FFIR23

bahagian bahagian: 1984

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S25FL032P0XNFV001M

S25FL032P0XNFV001M

bahagian bahagian: 2963

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
IS29GL01GS-11DHB02-TR

IS29GL01GS-11DHB02-TR

bahagian bahagian: 7400

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29PL127J60BAE000

S29PL127J60BAE000

bahagian bahagian: 7386

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY7C1061G30-10BV1XI

CY7C1061G30-10BV1XI

bahagian bahagian: 4232

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
S34ML08G201TFA003

S34ML08G201TFA003

bahagian bahagian: 4704

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS29GL256S-10DHV023

IS29GL256S-10DHV023

bahagian bahagian: 6013

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29PL032J70BAW150

S29PL032J70BAW150

bahagian bahagian: 16123

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S34SL01G200BHI000

S34SL01G200BHI000

bahagian bahagian: 18424

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
IS29GL256S-10DHB010

IS29GL256S-10DHB010

bahagian bahagian: 608

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL01GP11TFCR20D

S29GL01GP11TFCR20D

bahagian bahagian: 5398

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
IS29GL01GS-11TFV023

IS29GL01GS-11TFV023

bahagian bahagian: 6733

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY7C1360C-166AXC

CY7C1360C-166AXC

bahagian bahagian: 4907

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
CY7C1061GN30-10BV1XI

CY7C1061GN30-10BV1XI

bahagian bahagian: 7147

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
S70GL02GT11FHV013

S70GL02GT11FHV013

bahagian bahagian: 3790

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

Senarai harapan
S29PL032J60BAI120

S29PL032J60BAI120

bahagian bahagian: 16151

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XMFN011

S25FL116K0XMFN011

bahagian bahagian: 3663

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
IS29GL512S-11DHB023

IS29GL512S-11DHB023

bahagian bahagian: 688

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
QMP29GL01GP12TFI010

QMP29GL01GP12TFI010

bahagian bahagian: 1684

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
S25FL116K0XMFN040

S25FL116K0XMFN040

bahagian bahagian: 3587

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S99GL512P11FFI010

S99GL512P11FFI010

bahagian bahagian: 2470

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan
S34MS04G200TFI003

S34MS04G200TFI003

bahagian bahagian: 9368

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XMFN010

S25FL116K0XMFN010

bahagian bahagian: 435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29GL01GP12FAI020

S29GL01GP12FAI020

bahagian bahagian: 2021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
S34ML08G101BHB003

S34ML08G101BHB003

bahagian bahagian: 3064

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL01GP11TFIR10D

S29GL01GP11TFIR10D

bahagian bahagian: 9603

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S25FL032P0XMFV001M

S25FL032P0XMFV001M

bahagian bahagian: 2911

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S99GL512P12FFIV10

S99GL512P12FFIV10

bahagian bahagian: 2497

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16),

Senarai harapan