Ingatan

AS4C128M8D1-6TIN

AS4C128M8D1-6TIN

bahagian bahagian: 1692

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M8D1-6TINTR

AS4C128M8D1-6TINTR

bahagian bahagian: 2420

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M16D3L-12BIN

AS4C512M16D3L-12BIN

bahagian bahagian: 2533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C6416-55BIN

AS6C6416-55BIN

bahagian bahagian: 164

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C6416-55TIN

AS6C6416-55TIN

bahagian bahagian: 2805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D1-6TIN

AS4C64M16D1-6TIN

bahagian bahagian: 2684

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M16D3L-12BCN

AS4C512M16D3L-12BCN

bahagian bahagian: 2825

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3B-12BINTR

AS4C512M8D3B-12BINTR

bahagian bahagian: 4189

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3B-12BANTR

AS4C512M8D3B-12BANTR

bahagian bahagian: 1533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3B-12BAN

AS4C512M8D3B-12BAN

bahagian bahagian: 4153

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3B-12BIN

AS4C512M8D3B-12BIN

bahagian bahagian: 1602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

bahagian bahagian: 3102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

bahagian bahagian: 3166

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

bahagian bahagian: 3251

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
AS4C256M32MD2-18BIN

AS4C256M32MD2-18BIN

bahagian bahagian: 5072

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
AS4C256M32MD2-18BINTR

AS4C256M32MD2-18BINTR

bahagian bahagian: 5125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
AS4C256M32MD2-18BCNTR

AS4C256M32MD2-18BCNTR

bahagian bahagian: 5113

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
AS4C256M32MD2-18BCN

AS4C256M32MD2-18BCN

bahagian bahagian: 5034

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
AS4C64M16MD1-5BINTR

AS4C64M16MD1-5BINTR

bahagian bahagian: 5085

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD1-5BIN

AS4C64M16MD1-5BIN

bahagian bahagian: 4990

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD1-5BCNTR

AS4C64M16MD1-5BCNTR

bahagian bahagian: 4990

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD1-5BCN

AS4C64M16MD1-5BCN

bahagian bahagian: 3575

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

bahagian bahagian: 4983

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

bahagian bahagian: 3566

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M16MD2A-25BCNTR

AS4C128M16MD2A-25BCNTR

bahagian bahagian: 4925

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

bahagian bahagian: 4927

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

bahagian bahagian: 4914

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M16MD2A-25BCN

AS4C128M16MD2A-25BCN

bahagian bahagian: 4892

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M32MD2A-25BCN

AS4C32M32MD2A-25BCN

bahagian bahagian: 4876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M32MD2A-25BCNTR

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

bahagian bahagian: 4891

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

bahagian bahagian: 4877

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C316098A-10BIN

AS7C316098A-10BIN

bahagian bahagian: 3278

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C316098A-10TIN

AS7C316098A-10TIN

bahagian bahagian: 3304

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C316096B-10BIN

AS7C316096B-10BIN

bahagian bahagian: 145

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS6C3216A-55TIN

AS6C3216A-55TIN

bahagian bahagian: 3330

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS7C316096A-10TIN

AS7C316096A-10TIN

bahagian bahagian: 4272

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan