Ingatan

AS4C512M16D3L-12BINTR

AS4C512M16D3L-12BINTR

bahagian bahagian: 3640

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

bahagian bahagian: 2505

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

bahagian bahagian: 2472

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M32MD3-15BCNTR

AS4C512M32MD3-15BCNTR

bahagian bahagian: 2485

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

bahagian bahagian: 2432

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

bahagian bahagian: 2473

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

bahagian bahagian: 2389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

bahagian bahagian: 2395

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

bahagian bahagian: 2441

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

bahagian bahagian: 2399

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

bahagian bahagian: 3744

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C6416-55BINTR

AS6C6416-55BINTR

bahagian bahagian: 61

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

bahagian bahagian: 3829

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C6416-55TINTR

AS6C6416-55TINTR

bahagian bahagian: 117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

bahagian bahagian: 1601

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS4C512M16D3L-12BCNTR

AS4C512M16D3L-12BCNTR

bahagian bahagian: 3986

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

bahagian bahagian: 4193

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS7C351232-10BIN

AS7C351232-10BIN

bahagian bahagian: 112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C316098B-10TIN

AS7C316098B-10TIN

bahagian bahagian: 4269

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C316096C-10TIN

AS7C316096C-10TIN

bahagian bahagian: 4225

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C316096B-10TIN

AS7C316096B-10TIN

bahagian bahagian: 4216

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS6C3216A-55BIN

AS6C3216A-55BIN

bahagian bahagian: 96

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

bahagian bahagian: 12110

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

bahagian bahagian: 12165

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

bahagian bahagian: 12176

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

bahagian bahagian: 12151

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

bahagian bahagian: 6575

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

bahagian bahagian: 10987

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D2-25BANTR

AS4C64M16D2-25BANTR

bahagian bahagian: 16222

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D3A-12BANTR

AS4C64M16D3A-12BANTR

bahagian bahagian: 14811

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D3A-12BAN

AS4C64M16D3A-12BAN

bahagian bahagian: 10408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

bahagian bahagian: 4299

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS7C316096C-10BIN

AS7C316096C-10BIN

bahagian bahagian: 4379

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D3LA-12BAN

AS4C64M16D3LA-12BAN

bahagian bahagian: 14927

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

bahagian bahagian: 7163

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C64M16D3L-12BAN

AS4C64M16D3L-12BAN

bahagian bahagian: 7933

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan