Ingatan

AS4C128M16D2-25BCNTR

AS4C128M16D2-25BCNTR

bahagian bahagian: 9161

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C256M8D2-25BCNTR

AS4C256M8D2-25BCNTR

bahagian bahagian: 8731

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C256M16D3LB-12BIN

AS4C256M16D3LB-12BIN

bahagian bahagian: 73

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C1616-55TINL

AS6C1616-55TINL

bahagian bahagian: 58

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1608-55BIN

AS6C1608-55BIN

bahagian bahagian: 8898

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C128M32MD2A-25BINTR

AS4C128M32MD2A-25BINTR

bahagian bahagian: 62

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

bahagian bahagian: 119

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

bahagian bahagian: 9298

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS8C803601-QC150N

AS8C803601-QC150N

bahagian bahagian: 9335

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 150MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 6.7ns,

Senarai harapan
AS8C801825-QC75N

AS8C801825-QC75N

bahagian bahagian: 9360

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 117MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8.5ns,

Senarai harapan
AS8C801800-QC150N

AS8C801800-QC150N

bahagian bahagian: 9314

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 150MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 6.7ns,

Senarai harapan
AS8C801801-QC150N

AS8C801801-QC150N

bahagian bahagian: 9348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 150MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 6.7ns,

Senarai harapan
AS8C803625-QC75N

AS8C803625-QC75N

bahagian bahagian: 9297

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 117MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8.5ns,

Senarai harapan
AS8C803600-QC150N

AS8C803600-QC150N

bahagian bahagian: 9334

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 150MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 6.7ns,

Senarai harapan
AS8C803625A-QC75N

AS8C803625A-QC75N

bahagian bahagian: 9302

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS8C801825A-QC75N

AS8C801825A-QC75N

bahagian bahagian: 9291

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS6C1616-70BIN

AS6C1616-70BIN

bahagian bahagian: 9326

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
AS6C1616-55BIN

AS6C1616-55BIN

bahagian bahagian: 9365

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1616A-55BIN

AS6C1616A-55BIN

bahagian bahagian: 7171

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C128M32MD2-18BINTR

AS4C128M32MD2-18BINTR

bahagian bahagian: 5645

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C256M8D3LA-12BANTR

AS4C256M8D3LA-12BANTR

bahagian bahagian: 13391

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C4M16S-6BINTR

AS4C4M16S-6BINTR

bahagian bahagian: 4560

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

bahagian bahagian: 4564

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
AS6C1608-55TINTR

AS6C1608-55TINTR

bahagian bahagian: 9674

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1616-55TINLTR

AS6C1616-55TINLTR

bahagian bahagian: 52

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1608-55BINTR

AS6C1608-55BINTR

bahagian bahagian: 9680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1616-55TINTR

AS6C1616-55TINTR

bahagian bahagian: 9675

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1616A-55BINTR

AS6C1616A-55BINTR

bahagian bahagian: 9806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C128M16D2A-25BCNTR

AS4C128M16D2A-25BCNTR

bahagian bahagian: 75

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

bahagian bahagian: 63

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C256M16D3LB-12BINTR

AS4C256M16D3LB-12BINTR

bahagian bahagian: 72

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C1616-70BINTR

AS6C1616-70BINTR

bahagian bahagian: 10105

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
AS4C256M16D3B-12BINTR

AS4C256M16D3B-12BINTR

bahagian bahagian: 109

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C1616-55BINTR

AS6C1616-55BINTR

bahagian bahagian: 10083

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

bahagian bahagian: 10524

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS4C256M8D3A-12BIN

AS4C256M8D3A-12BIN

bahagian bahagian: 10371

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan