Ingatan

AS7C31026B-15TCN

AS7C31026B-15TCN

bahagian bahagian: 33661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C1026B-15TCN

AS7C1026B-15TCN

bahagian bahagian: 33644

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C1024B-15TCN

AS7C1024B-15TCN

bahagian bahagian: 33661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C31024B-10TCN

AS7C31024B-10TCN

bahagian bahagian: 33581

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C31024B-15TCN

AS7C31024B-15TCN

bahagian bahagian: 33656

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C2008-55BINTR

AS6C2008-55BINTR

bahagian bahagian: 33993

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C2016-55BINTR

AS6C2016-55BINTR

bahagian bahagian: 34039

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C2008A-55BINTR

AS6C2008A-55BINTR

bahagian bahagian: 34003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1008-55SIN

AS6C1008-55SIN

bahagian bahagian: 34477

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C6264-55SIN

AS6C6264-55SIN

bahagian bahagian: 34447

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C4M16SA-6TCN

AS4C4M16SA-6TCN

bahagian bahagian: 38392

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS7C256A-10TIN

AS7C256A-10TIN

bahagian bahagian: 34441

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

bahagian bahagian: 38414

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

bahagian bahagian: 100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

bahagian bahagian: 34693

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

bahagian bahagian: 34634

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

bahagian bahagian: 37488

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS4C2M32D1A-5BCNTR

AS4C2M32D1A-5BCNTR

bahagian bahagian: 34667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C1016-55BIN

AS6C1016-55BIN

bahagian bahagian: 34723

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS6C1008-55BIN

AS6C1008-55BIN

bahagian bahagian: 34722

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
AS4C4M16D1A-5TIN

AS4C4M16D1A-5TIN

bahagian bahagian: 35036

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS4C4M16S-6TIN

AS4C4M16S-6TIN

bahagian bahagian: 34419

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS7C1026B-10TCNTR

AS7C1026B-10TCNTR

bahagian bahagian: 36009

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS4C4M16SA-6TANTR

AS4C4M16SA-6TANTR

bahagian bahagian: 39018

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 2ns,

Senarai harapan
AS7C31024B-15TCNTR

AS7C31024B-15TCNTR

bahagian bahagian: 36051

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C31026B-15TCNTR

AS7C31026B-15TCNTR

bahagian bahagian: 35961

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C31024B-10TCNTR

AS7C31024B-10TCNTR

bahagian bahagian: 36054

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C1024B-12TCNTR

AS7C1024B-12TCNTR

bahagian bahagian: 35959

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
AS7C31026B-10TCNTR

AS7C31026B-10TCNTR

bahagian bahagian: 36024

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
AS7C31026B-12TCNTR

AS7C31026B-12TCNTR

bahagian bahagian: 35985

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
AS7C1024B-15TCNTR

AS7C1024B-15TCNTR

bahagian bahagian: 36013

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C1026B-15TCNTR

AS7C1026B-15TCNTR

bahagian bahagian: 36038

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS7C31024B-12TCNTR

AS7C31024B-12TCNTR

bahagian bahagian: 36029

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
AS7C1026B-12TCNTR

AS7C1026B-12TCNTR

bahagian bahagian: 35996

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
AS4C4M16D1A-5TCN

AS4C4M16D1A-5TCN

bahagian bahagian: 36279

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
AS6C6264-55SCN

AS6C6264-55SCN

bahagian bahagian: 36346

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan