Ingatan

IS62WV5128EALL-55TLI

IS62WV5128EALL-55TLI

bahagian bahagian: 14994

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS61LV5128AL-10TI-TR

IS61LV5128AL-10TI-TR

bahagian bahagian: 16451

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS42SM32400H-75BLI-TR

IS42SM32400H-75BLI-TR

bahagian bahagian: 13867

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS45S16800F-6CTLA1

IS45S16800F-6CTLA1

bahagian bahagian: 13080

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS65WV12816BLL-55BLA3

IS65WV12816BLL-55BLA3

bahagian bahagian: 15797

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS43TR81280B-125JBL

IS43TR81280B-125JBL

bahagian bahagian: 14817

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42SM16800H-75BLI

IS42SM16800H-75BLI

bahagian bahagian: 13132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS62WV5128EALL-55TLI-TR

IS62WV5128EALL-55TLI-TR

bahagian bahagian: 16733

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS61NLP6432A-200TQLI-TR

IS61NLP6432A-200TQLI-TR

bahagian bahagian: 14544

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (64K x 32), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

bahagian bahagian: 18210

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ns,

Senarai harapan
IS45S16800F-7TLA2-TR

IS45S16800F-7TLA2-TR

bahagian bahagian: 15266

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS43R16160F-6BL

IS43R16160F-6BL

bahagian bahagian: 13458

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46DR16320E-3DBLA1-TR

IS46DR16320E-3DBLA1-TR

bahagian bahagian: 56

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR

bahagian bahagian: 18408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS61LV12816L-10LQLI

IS61LV12816L-10LQLI

bahagian bahagian: 16715

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS43LR16800G-6BLI

IS43LR16800G-6BLI

bahagian bahagian: 12904

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43R86400F-5TL

IS43R86400F-5TL

bahagian bahagian: 13186

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S16160J-7BLI

IS42S16160J-7BLI

bahagian bahagian: 14837

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61C5128AS-25QLI

IS61C5128AS-25QLI

bahagian bahagian: 20744

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS42SM16800H-6BLI-TR

IS42SM16800H-6BLI-TR

bahagian bahagian: 14211

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

bahagian bahagian: 68

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
IS42VM16800H-75BLI-TR

IS42VM16800H-75BLI-TR

bahagian bahagian: 15310

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TR

IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TR

bahagian bahagian: 67

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR

IS62WV51216EBLL-45BLI-TR

bahagian bahagian: 15676

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS45S16160J-7CTLA1

IS45S16160J-7CTLA1

bahagian bahagian: 13724

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42RM16800H-75BLI-TR

IS42RM16800H-75BLI-TR

bahagian bahagian: 14882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS64WV3216BLL-15CTLA3

IS64WV3216BLL-15CTLA3

bahagian bahagian: 17851

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 512Kb (32K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43R83200F-6TLI

IS43R83200F-6TLI

bahagian bahagian: 14478

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61WV2568EDBLL-10BLI

IS61WV2568EDBLL-10BLI

bahagian bahagian: 111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS41LV16105D-50KLI-TR

IS41LV16105D-50KLI-TR

bahagian bahagian: 55

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM - FP, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16),

Senarai harapan
IS42SM32400H-6BLI-TR

IS42SM32400H-6BLI-TR

bahagian bahagian: 13165

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43R16160F-5BL-TR

IS43R16160F-5BL-TR

bahagian bahagian: 14028

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR

IS62WV10248EBLL-45BLI-TR

bahagian bahagian: 15731

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS61WV2568EDBLL-10KLI

IS61WV2568EDBLL-10KLI

bahagian bahagian: 16006

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS42S32400F-6TLI-TR

IS42S32400F-6TLI-TR

bahagian bahagian: 13936

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

bahagian bahagian: 18123

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan