Ingatan

IS43LR32400G-6BL

IS43LR32400G-6BL

bahagian bahagian: 12816

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61LV12816L-10LQLI-TR

IS61LV12816L-10LQLI-TR

bahagian bahagian: 18537

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S16800F-7TLA2

IS45S16800F-7TLA2

bahagian bahagian: 13888

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR

IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR

bahagian bahagian: 17384

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S32200L-6BLA1-TR

IS45S32200L-6BLA1-TR

bahagian bahagian: 15319

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61C5128AS-25TLI

IS61C5128AS-25TLI

bahagian bahagian: 16353

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS42S83200J-7TLI

IS42S83200J-7TLI

bahagian bahagian: 12873

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61WV2568EDBLL-10TLI

IS61WV2568EDBLL-10TLI

bahagian bahagian: 18147

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S32200L-6TLA2

IS45S32200L-6TLA2

bahagian bahagian: 13992

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR

IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR

bahagian bahagian: 19216

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS43DR16160B-25DBLI

IS43DR16160B-25DBLI

bahagian bahagian: 11753

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16160J-6CTLA1

IS45S16160J-6CTLA1

bahagian bahagian: 12977

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR

bahagian bahagian: 116

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 40ns,

Senarai harapan
IS43R86400D-5TL

IS43R86400D-5TL

bahagian bahagian: 14184

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16800F-7BLA1-TR

IS45S16800F-7BLA1-TR

bahagian bahagian: 15040

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS43TR82560B-15HBL-TR

IS43TR82560B-15HBL-TR

bahagian bahagian: 17456

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16640C-3DBLI-TR

IS43DR16640C-3DBLI-TR

bahagian bahagian: 122

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S32400F-7TLI

IS42S32400F-7TLI

bahagian bahagian: 13830

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS43DR16640C-25DBL

IS43DR16640C-25DBL

bahagian bahagian: 15602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

bahagian bahagian: 137

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS43R16160D-6BL-TR

IS43R16160D-6BL-TR

bahagian bahagian: 13759

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42VM16160K-75BLI-TR

IS42VM16160K-75BLI-TR

bahagian bahagian: 12412

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS45S16160J-7CTLA1-TR

IS45S16160J-7CTLA1-TR

bahagian bahagian: 15044

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

bahagian bahagian: 113

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS43LR32400G-6BL-TR

IS43LR32400G-6BL-TR

bahagian bahagian: 14599

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43R86400D-5TL-TR

IS43R86400D-5TL-TR

bahagian bahagian: 15885

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16800F-6BLA1-TR

IS45S16800F-6BLA1-TR

bahagian bahagian: 14011

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS45S16160J-7BLA1

IS45S16160J-7BLA1

bahagian bahagian: 13506

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS46DR16320E-25DBLA2-TR

IS46DR16320E-25DBLA2-TR

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25LP256D-RMLE

IS25LP256D-RMLE

bahagian bahagian: 136

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 800µs,

Senarai harapan
IS25LP256D-RHLE

IS25LP256D-RHLE

bahagian bahagian: 7033

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 800µs,

Senarai harapan
IS43DR16160B-3DBLI

IS43DR16160B-3DBLI

bahagian bahagian: 12585

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE4M16ALL-70BLI

IS66WVE4M16ALL-70BLI

bahagian bahagian: 16691

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS42RM16800H-75BLI

IS42RM16800H-75BLI

bahagian bahagian: 13181

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS61WV25616BLS-25TLI

IS61WV25616BLS-25TLI

bahagian bahagian: 18561

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS61C25616AS-25TLI

IS61C25616AS-25TLI

bahagian bahagian: 18629

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan