Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Ingatan

NM93C66M8
ON Semiconductor

NM93C66M8

bahagian bahagian: 2562

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
FM93C66EN
ON Semiconductor

FM93C66EN

bahagian bahagian: 7974

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM93C66EN
ON Semiconductor

NM93C66EN

bahagian bahagian: 2484

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
FM27C512Q120
ON Semiconductor

FM27C512Q120

bahagian bahagian: 7790

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
NM27C020QE120
ON Semiconductor

NM27C020QE120

bahagian bahagian: 3163

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8),

Senarai harapan
NM95C12N
ON Semiconductor

NM95C12N

bahagian bahagian: 3047

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27LC512V200
ON Semiconductor

NM27LC512V200

bahagian bahagian: 2093

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
FM93C46M8
ON Semiconductor

FM93C46M8

bahagian bahagian: 7919

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27C010N150
ON Semiconductor

NM27C010N150

bahagian bahagian: 3062

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
NM93CS06EN
ON Semiconductor

NM93CS06EN

bahagian bahagian: 2570

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256b (16 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
FM93C46LM8
ON Semiconductor

FM93C46LM8

bahagian bahagian: 7893

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 250kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms,

Senarai harapan
NM93C56EM8
ON Semiconductor

NM93C56EM8

bahagian bahagian: 2381

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (128 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27C040Q120
ON Semiconductor

NM27C040Q120

bahagian bahagian: 1905

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
NM24C02EN
ON Semiconductor

NM24C02EN

bahagian bahagian: 1433

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM93C06M8
ON Semiconductor

NM93C06M8

bahagian bahagian: 1374

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256b (16 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM93CS46N
ON Semiconductor

NM93CS46N

bahagian bahagian: 6157

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27C512Q120
ON Semiconductor

NM27C512Q120

bahagian bahagian: 1256

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
NM27C010Q150
ON Semiconductor

NM27C010Q150

bahagian bahagian: 1259

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
NM93C06EN
ON Semiconductor

NM93C06EN

bahagian bahagian: 6139

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256b (16 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM24C02LM8
ON Semiconductor

NM24C02LM8

bahagian bahagian: 1545

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms,

Senarai harapan
NM27C256QE200
ON Semiconductor

NM27C256QE200

bahagian bahagian: 1259

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
NM24C03EM8
ON Semiconductor

NM24C03EM8

bahagian bahagian: 1518

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM24C02M8
ON Semiconductor

NM24C02M8

bahagian bahagian: 1562

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
CAT24C64YI-GT3JN
ON Semiconductor

CAT24C64YI-GT3JN

bahagian bahagian: 172507

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NMC27C64Q200
ON Semiconductor

NMC27C64Q200

bahagian bahagian: 1435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8),

Senarai harapan
NMC27C64Q150
ON Semiconductor

NMC27C64Q150

bahagian bahagian: 1185

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8),

Senarai harapan
NM93C46EN
ON Semiconductor

NM93C46EN

bahagian bahagian: 1315

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27C256Q200
ON Semiconductor

NM27C256Q200

bahagian bahagian: 1248

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
NMC27C32BQ200
ON Semiconductor

NMC27C32BQ200

bahagian bahagian: 1422

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8),

Senarai harapan
NM93C46M8
ON Semiconductor

NM93C46M8

bahagian bahagian: 1368

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
NM27C512Q200
ON Semiconductor

NM27C512Q200

bahagian bahagian: 1292

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
NM27C512Q150
ON Semiconductor

NM27C512Q150

bahagian bahagian: 1251

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
NMC27C64N200
ON Semiconductor

NMC27C64N200

bahagian bahagian: 1191

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8),

Senarai harapan
NM24C02LEM8
ON Semiconductor

NM24C02LEM8

bahagian bahagian: 6212

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms,

Senarai harapan
NMC27C64QE200
ON Semiconductor

NMC27C64QE200

bahagian bahagian: 1468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8),

Senarai harapan
NM24C02N
ON Semiconductor

NM24C02N

bahagian bahagian: 1541

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan