Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Ingatan

BQ2022LPR
Texas Instruments

BQ2022LPR

bahagian bahagian: 9450

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (256b x 4 pages),

Senarai harapan
BQ2022DBZR
Texas Instruments

BQ2022DBZR

bahagian bahagian: 4767

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (256b x 4 pages),

Senarai harapan
BQ4011YMA-70
Texas Instruments

BQ4011YMA-70

bahagian bahagian: 4741

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4010YMA-70
Texas Instruments

BQ4010YMA-70

bahagian bahagian: 4676

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4010MA-85
Texas Instruments

BQ4010MA-85

bahagian bahagian: 4669

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4011MA-100
Texas Instruments

BQ4011MA-100

bahagian bahagian: 6536

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
BQ4013YMA-70
Texas Instruments

BQ4013YMA-70

bahagian bahagian: 4637

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4013YMA-70N
Texas Instruments

BQ4013YMA-70N

bahagian bahagian: 4610

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4013YMA-85
Texas Instruments

BQ4013YMA-85

bahagian bahagian: 4576

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4014YMB-85
Texas Instruments

BQ4014YMB-85

bahagian bahagian: 4559

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4014MB-85
Texas Instruments

BQ4014MB-85

bahagian bahagian: 4557

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4015YMA-70
Texas Instruments

BQ4015YMA-70

bahagian bahagian: 4519

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4016YMC-70
Texas Instruments

BQ4016YMC-70

bahagian bahagian: 4582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4016MC-70
Texas Instruments

BQ4016MC-70

bahagian bahagian: 4506

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4015MA-70
Texas Instruments

BQ4015MA-70

bahagian bahagian: 4463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4013YMA-120
Texas Instruments

BQ4013YMA-120

bahagian bahagian: 2539

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
BQ4010YMA-200
Texas Instruments

BQ4010YMA-200

bahagian bahagian: 2541

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
BQ4011LYMA-70N
Texas Instruments

BQ4011LYMA-70N

bahagian bahagian: 2402

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4011YMA-100
Texas Instruments

BQ4011YMA-100

bahagian bahagian: 6082

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
BQ2022LPRE3
Texas Instruments

BQ2022LPRE3

bahagian bahagian: 1488

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (256b x 4 pages),

Senarai harapan
BQ4017YMC-70
Texas Instruments

BQ4017YMC-70

bahagian bahagian: 671

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4014MB-120
Texas Instruments

BQ4014MB-120

bahagian bahagian: 622

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
BQ4015MA-85
Texas Instruments

BQ4015MA-85

bahagian bahagian: 637

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4014YMB-120
Texas Instruments

BQ4014YMB-120

bahagian bahagian: 578

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
BQ4013YMA-85N
Texas Instruments

BQ4013YMA-85N

bahagian bahagian: 602

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4013MA-85
Texas Instruments

BQ4013MA-85

bahagian bahagian: 589

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4013MA-120
Texas Instruments

BQ4013MA-120

bahagian bahagian: 553

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
BQ4011YMA-70N
Texas Instruments

BQ4011YMA-70N

bahagian bahagian: 600

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
BQ4011YMA-200
Texas Instruments

BQ4011YMA-200

bahagian bahagian: 546

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
BQ4011YMA-150
Texas Instruments

BQ4011YMA-150

bahagian bahagian: 550

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
BQ4011YMA-150N
Texas Instruments

BQ4011YMA-150N

bahagian bahagian: 493

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
BQ4011MA-150
Texas Instruments

BQ4011MA-150

bahagian bahagian: 555

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
BQ4011MA-200
Texas Instruments

BQ4011MA-200

bahagian bahagian: 485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
BQ4010YMA-85
Texas Instruments

BQ4010YMA-85

bahagian bahagian: 551

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4010YMA-85N
Texas Instruments

BQ4010YMA-85N

bahagian bahagian: 447

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
BQ4010YMA-70N
Texas Instruments

BQ4010YMA-70N

bahagian bahagian: 486

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan