Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Ingatan

THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T1T83BAIR

bahagian bahagian: 1029

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

Senarai harapan
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T0T43BAIR

bahagian bahagian: 163

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTA20

bahagian bahagian: 2067

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G9T43BAIR

bahagian bahagian: 113

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR

bahagian bahagian: 3103

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTAK0

bahagian bahagian: 618

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C2LBAIL

bahagian bahagian: 689

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G8T23BAIL

bahagian bahagian: 353

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

Senarai harapan
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTAK0

bahagian bahagian: 8052

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

bahagian bahagian: 4752

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR

bahagian bahagian: 2327

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR

bahagian bahagian: 4451

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG

bahagian bahagian: 1222

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
TC58CVG2S0HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HQAIE

bahagian bahagian: 1601

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
TC58CVG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HQAIE

bahagian bahagian: 1534

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

bahagian bahagian: 1591

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL

bahagian bahagian: 6485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0FTA20

bahagian bahagian: 4065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG3S0HBAI6

bahagian bahagian: 9512

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTAI0

bahagian bahagian: 686

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HBAI4

bahagian bahagian: 1370

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETAI0

bahagian bahagian: 8211

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

bahagian bahagian: 6211

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0FTA00

bahagian bahagian: 9423

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETA00

bahagian bahagian: 8245

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL

bahagian bahagian: 8087

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0

bahagian bahagian: 1148

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTA00

bahagian bahagian: 3722

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6

bahagian bahagian: 3593

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTA00

bahagian bahagian: 923

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAIL

bahagian bahagian: 777

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 52MHz,

Senarai harapan
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HBAI4

bahagian bahagian: 8683

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI4

bahagian bahagian: 1345

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG2S3HBAI4

bahagian bahagian: 1400

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG2S0HRAIG

bahagian bahagian: 5315

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG1S3HRAIG

bahagian bahagian: 1907

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan