Ingatan | Litar Bersepadu (IC) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

bahagian bahagian: 1439

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

bahagian bahagian: 1919

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

bahagian bahagian: 8902

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

bahagian bahagian: 1435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

bahagian bahagian: 1393

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

bahagian bahagian: 16444

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

bahagian bahagian: 566

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

bahagian bahagian: 17237

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTA00

bahagian bahagian: 14392

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4

bahagian bahagian: 1415

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

bahagian bahagian: 17248

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HRAIG

bahagian bahagian: 7253

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI4

bahagian bahagian: 1370

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HRAIG

bahagian bahagian: 3118

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

bahagian bahagian: 8884

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTA00

bahagian bahagian: 14305

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTA00

bahagian bahagian: 17220

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTAI0

bahagian bahagian: 7000

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

bahagian bahagian: 14306

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTAI0

bahagian bahagian: 14321

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

bahagian bahagian: 17235

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTA00

bahagian bahagian: 1523

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI4

bahagian bahagian: 1411

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI4

bahagian bahagian: 24524

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTA00

bahagian bahagian: 669

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTAI0

bahagian bahagian: 577

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

bahagian bahagian: 25500

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

bahagian bahagian: 25447

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

bahagian bahagian: 2239

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI6

bahagian bahagian: 25501

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTAI0

bahagian bahagian: 24548

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HRAIG

bahagian bahagian: 1485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTAI0

bahagian bahagian: 2401

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI6

bahagian bahagian: 33228

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTAI0

bahagian bahagian: 31571

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

bahagian bahagian: 33224

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan