Ingatan

W9825G2JB-6I

W9825G2JB-6I

bahagian bahagian: 8249

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W29GL064CH7B

W29GL064CH7B

bahagian bahagian: 35276

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
W25X16VSFIG

W25X16VSFIG

bahagian bahagian: 1874

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25X16VSFIG T&R

W25X16VSFIG T&R

bahagian bahagian: 1905

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25Q16BVSSIG

W25Q16BVSSIG

bahagian bahagian: 3500

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25X32VSSIG

W25X32VSSIG

bahagian bahagian: 2088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25X16VSSIG

W25X16VSSIG

bahagian bahagian: 2002

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25X16VSSIG T&R

W25X16VSSIG T&R

bahagian bahagian: 2030

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W25X32VSSIG T&R

W25X32VSSIG T&R

bahagian bahagian: 2085

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W9825G2JB-6I TR

W9825G2JB-6I TR

bahagian bahagian: 9542

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W29N04GWBIBA

W29N04GWBIBA

bahagian bahagian: 8819

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
W29N04GVBIAA

W29N04GVBIAA

bahagian bahagian: 9199

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W29N04GVSIAA

W29N04GVSIAA

bahagian bahagian: 8511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W29N04GZBIBA

W29N04GZBIBA

bahagian bahagian: 8857

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
W29N04GVBIAF

W29N04GVBIAF

bahagian bahagian: 9246

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W29N04GVSIAF

W29N04GVSIAF

bahagian bahagian: 8535

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

bahagian bahagian: 8608

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

bahagian bahagian: 10080

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

bahagian bahagian: 13030

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9825G2JB-6

W9825G2JB-6

bahagian bahagian: 10680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W94AD2KBJX5I

W94AD2KBJX5I

bahagian bahagian: 13420

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR

bahagian bahagian: 12223

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

bahagian bahagian: 10123

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9825G2JB-75

W9825G2JB-75

bahagian bahagian: 10674

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

bahagian bahagian: 8533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

bahagian bahagian: 10201

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W97AH6KBVX2I

W97AH6KBVX2I

bahagian bahagian: 11011

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

bahagian bahagian: 10084

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W94AD6KBHX5I

W94AD6KBHX5I

bahagian bahagian: 10928

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

bahagian bahagian: 11052

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

bahagian bahagian: 8593

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W97AH2KBQX2E

W97AH2KBQX2E

bahagian bahagian: 8636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

bahagian bahagian: 13060

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W25M512JVFIQ

W25M512JVFIQ

bahagian bahagian: 11972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
W9812G2KB-6I

W9812G2KB-6I

bahagian bahagian: 10611

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W29GL512PH9B TR

W29GL512PH9B TR

bahagian bahagian: 14633

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan