Ingatan

W25M02GVTBIT TR

W25M02GVTBIT TR

bahagian bahagian: 20595

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 700µs,

Senarai harapan
W632GU6MB15I TR

W632GU6MB15I TR

bahagian bahagian: 4906

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

bahagian bahagian: 15794

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W632GG6MB-15

W632GG6MB-15

bahagian bahagian: 5718

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

bahagian bahagian: 19963

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W632GG8MB-09

W632GG8MB-09

bahagian bahagian: 7775

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 1066MHz,

Senarai harapan
W25M02GVTBIG TR

W25M02GVTBIG TR

bahagian bahagian: 20607

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 700µs,

Senarai harapan
W632GU6MB-15

W632GU6MB-15

bahagian bahagian: 5769

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W25M02GVZEIT TR

W25M02GVZEIT TR

bahagian bahagian: 22691

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 700µs,

Senarai harapan
W632GG6MB-12 TR

W632GG6MB-12 TR

bahagian bahagian: 7805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
W632GG8MB-11 TR

W632GG8MB-11 TR

bahagian bahagian: 894

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
W9825G6JB-6

W9825G6JB-6

bahagian bahagian: 18438

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W25M512JVFIQ TR

W25M512JVFIQ TR

bahagian bahagian: 14878

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
W632GU8MB-11

W632GU8MB-11

bahagian bahagian: 5707

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
W632GU8MB12I TR

W632GU8MB12I TR

bahagian bahagian: 7471

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
W632GU8MB-15 TR

W632GU8MB-15 TR

bahagian bahagian: 855

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

bahagian bahagian: 19191

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

bahagian bahagian: 17098

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W949D6DBHX5I

W949D6DBHX5I

bahagian bahagian: 20603

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W25M02GVTCIG TR

W25M02GVTCIG TR

bahagian bahagian: 20645

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 700µs,

Senarai harapan
W632GG6MB-15 TR

W632GG6MB-15 TR

bahagian bahagian: 7822

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W29N02GWBIBA

W29N02GWBIBA

bahagian bahagian: 15144

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

bahagian bahagian: 18317

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W632GU6MB12I TR

W632GU6MB12I TR

bahagian bahagian: 4942

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
W29N02GZBIBA

W29N02GZBIBA

bahagian bahagian: 15105

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
W25M512JVCIQ TR

W25M512JVCIQ TR

bahagian bahagian: 14385

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz,

Senarai harapan
W29N02GVSIAF

W29N02GVSIAF

bahagian bahagian: 15527

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

bahagian bahagian: 15806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

bahagian bahagian: 14923

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

bahagian bahagian: 19579

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W632GG8MB-15 TR

W632GG8MB-15 TR

bahagian bahagian: 6314

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W9864G2JB-6

W9864G2JB-6

bahagian bahagian: 19125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

bahagian bahagian: 15447

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W631GG6MB-12

W631GG6MB-12

bahagian bahagian: 1711

Senarai harapan
W632GG8MB15I TR

W632GG8MB15I TR

bahagian bahagian: 7522

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz,

Senarai harapan
W631GG6MB-11

W631GG6MB-11

bahagian bahagian: 1248

Senarai harapan