Transistor - FET, MOSFET - RF

ATF-531P8-BLK

bahagian bahagian: 31029

Jenis Transistor: E-pHEMT, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 4V, Peringkat Semasa: 300mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

ATF-54143-TR1G

bahagian bahagian: 39052

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 16.6dB, Voltan - Ujian: 3V, Peringkat Semasa: 120mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

ATF-55143-TR1G

bahagian bahagian: 108505

Jenis Transistor: E-pHEMT, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 17.7dB, Voltan - Ujian: 2.7V, Peringkat Semasa: 100mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

ATF-34143-TR1G

bahagian bahagian: 47093

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 4V, Peringkat Semasa: 145mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

ATF-551M4-TR1

bahagian bahagian: 6085

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 2.7V, Peringkat Semasa: 100mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

ATF-54143-TR1

bahagian bahagian: 6069

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 16.6dB, Voltan - Ujian: 3V, Peringkat Semasa: 120mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

ATF-55143-TR1

bahagian bahagian: 6082

Jenis Transistor: E-pHEMT, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 17.7dB, Voltan - Ujian: 2.7V, Peringkat Semasa: 100mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

ATF-38143-BLKG

bahagian bahagian: 157362

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 145mA, Gambar Kebisingan: 0.4dB,

ATF-34143-TR1

bahagian bahagian: 6011

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 4V, Peringkat Semasa: 145mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

AFT23H201-24SR6

bahagian bahagian: 6014

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Keuntungan: 15.6dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

AFT05MS006NT1

bahagian bahagian: 40947

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 520MHz, Keuntungan: 18.3dB, Voltan - Ujian: 7.5V,

BF861B,235

bahagian bahagian: 105184

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Peringkat Semasa: 15mA,

BF556A,235

bahagian bahagian: 139040

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Peringkat Semasa: 7mA,

ARF473

bahagian bahagian: 6000

Jenis Transistor: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Kekerapan: 130MHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 135V, Peringkat Semasa: 10A,

BLL8H1214LS-250U

bahagian bahagian: 249

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

BLL8H1214L-500U

bahagian bahagian: 177

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

BLL8H0514-25U

bahagian bahagian: 511

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.2GHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 50V,

BLL6H1214-500,112

bahagian bahagian: 136

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 50V,

BLA9G1011L-300U

bahagian bahagian: 146

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 21.8dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 4.2µA,

BLA9G1011LS-300GU

bahagian bahagian: 136

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 21.8dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 4.2µA,

BLS6G2735L-30,112

bahagian bahagian: 408

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 32V,

BLS8G2731L-400PU

bahagian bahagian: 138

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 3.1GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 32V,

BLF0910H9LS600J

bahagian bahagian: 150

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 900MHz ~ 930MHz, Keuntungan: 18.6dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

BLM9D2327-25BZ

bahagian bahagian: 2267

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.7GHz,

BLF2425M9LS140J

bahagian bahagian: 674

BLC9G22LS-160VTY

bahagian bahagian: 977

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 18.4dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 2.8µA,

BLF6G27LS-40PGJ

bahagian bahagian: 1141

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

BLF7G27LS-100,118

bahagian bahagian: 1026

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 28A,

BLF8G24LS-150VJ

bahagian bahagian: 964

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

BLC8G27LS-60AVY

bahagian bahagian: 1384

BLC9G20LS-160PVY

bahagian bahagian: 999

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 2GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 1.4µA,

BLF8G10LS-270GVJ

bahagian bahagian: 777

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 871.5MHz ~ 891.5MHz, Keuntungan: 19.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

BLF7G22LS-250P,112

bahagian bahagian: 587

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 65A,

BLF9G20LS-160VJ

bahagian bahagian: 1009

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 19.8dB, Voltan - Ujian: 28V,

BF886H6327XTSA1

bahagian bahagian: 167936

BF888H6327XTSA1

bahagian bahagian: 128909