Transistor - FET, MOSFET - RF

PTFB092707FH-V1-R0

bahagian bahagian: 172

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

CGH40120F

bahagian bahagian: 276

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 0Hz ~ 4GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 28A,

PTFA041501E-V4-R250

bahagian bahagian: 6440

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 470MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFA080551F-V4-R250

bahagian bahagian: 5464

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

CGH40010F

bahagian bahagian: 1253

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 0Hz ~ 6GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 3.5A,

CG2H40025F

bahagian bahagian: 2208

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 6GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

CGHV1F006S

bahagian bahagian: 1890

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 6GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 40V, Peringkat Semasa: 950mA,

PTVA082407NF-V1-R5

bahagian bahagian: 159

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 746MHz ~ 821MHz, Keuntungan: 20.5dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTFA080551F-V4-R0

bahagian bahagian: 6436

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 869MHz ~ 960MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTFB193404F-V1-R250

bahagian bahagian: 131

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 30V,

CGH27060F

bahagian bahagian: 464

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 3GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTVA035002EV-V1-R250

bahagian bahagian: 80

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 390MHz ~ 450MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 10µA,

PD55025S-E

bahagian bahagian: 2621

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 12.5V, Peringkat Semasa: 7A,

LET9060F

bahagian bahagian: 707

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

LET9060C

bahagian bahagian: 712

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 12A,

PD85025STR-E

bahagian bahagian: 2517

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 870MHz, Keuntungan: 17.3dB, Voltan - Ujian: 13.6V, Peringkat Semasa: 7A,

STAC4933

bahagian bahagian: 679

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 30MHz, Keuntungan: 24dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 40A,

MRF1K50HR5

bahagian bahagian: 363

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.8MHz ~ 500MHz, Keuntungan: 22.5dB,

ON5174,118

bahagian bahagian: 6359

MRF6VP121KHSR5

bahagian bahagian: 159

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.03GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRF8S9220HR5

bahagian bahagian: 6379

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 19.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF8S21200HSR6

bahagian bahagian: 954

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 18.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF6V13250HSR5

bahagian bahagian: 330

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.3GHz, Keuntungan: 22.7dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRF24300GNR3

bahagian bahagian: 119

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 2.45GHz,

MRF8P18265HSR5

bahagian bahagian: 4651

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 30V,

ON5407,135

bahagian bahagian: 6415

MHT1004NR3

bahagian bahagian: 170

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.45GHz, Keuntungan: 15.2dB, Voltan - Ujian: 32V, Peringkat Semasa: 10µA,

MRF8S18210WHSR5

bahagian bahagian: 6398

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 17.8dB, Voltan - Ujian: 30V,

MRF8S9102NR3

bahagian bahagian: 1697

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 920MHz, Keuntungan: 23.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRFE6VP100HR5

bahagian bahagian: 1122

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 512MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 50V,

NPT35015D

bahagian bahagian: 1359

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 3.3GHz ~ 3.8GHz, Keuntungan: 10.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 5A,

MAGX-000035-015000

bahagian bahagian: 210

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 0Hz ~ 3GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 800mA,

CE3520K3

bahagian bahagian: 36341

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 20GHz, Keuntungan: 13.8dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 15mA, Gambar Kebisingan: 0.8dB,

PTFB212507SHV1R250XTMA1

bahagian bahagian: 782

IXZ308N120

bahagian bahagian: 2119

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 65MHz, Keuntungan: 23dB, Voltan - Ujian: 100V, Peringkat Semasa: 8A,

RFM08U9X(TE12L,Q)

bahagian bahagian: 9190

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 520MHz, Keuntungan: 11.7dB, Voltan - Ujian: 9.6V, Peringkat Semasa: 5A,