Transistor - FET, MOSFET - RF

PTFA261702E V1

bahagian bahagian: 6172

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.66GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTFA211801E V4 R250

bahagian bahagian: 6188

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTFA092201E V1

bahagian bahagian: 6168

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 30V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTFA092211FLV4R250XTMA1

bahagian bahagian: 6261

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 920MHz ~ 960MHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTFB211803ELV1R0XTMA1

bahagian bahagian: 823

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTFA211801F V4

bahagian bahagian: 6177

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

MRF9060LSR5

bahagian bahagian: 6319

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 26V,

MD7P19130HSR5

bahagian bahagian: 6330

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF6S19100NR1

bahagian bahagian: 6267

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF7S38040HR3

bahagian bahagian: 6378

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 30V,

MRFG35003N6T1

bahagian bahagian: 6347

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 9dB, Voltan - Ujian: 6V,

MRFE6S9205HSR5

bahagian bahagian: 6317

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF9210R5

bahagian bahagian: 6290

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

MRF7S19170HR3

bahagian bahagian: 6326

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 17.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF5S9070NR1

bahagian bahagian: 6298

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 17.8dB, Voltan - Ujian: 26V,

MRF7S18170HSR5

bahagian bahagian: 6343

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.81GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF7S21210HR5

bahagian bahagian: 6390

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF5S9080NR1

bahagian bahagian: 6044

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

MRF9045LR5

bahagian bahagian: 6339

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 18.8dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF9060LR1

bahagian bahagian: 6284

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 26V,

MRF5S21130HR5

bahagian bahagian: 6322

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF6S19200HSR3

bahagian bahagian: 6025

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 17.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF7S38010HSR3

bahagian bahagian: 6378

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 30V,

MRF6S19120HR5

bahagian bahagian: 6338

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.99GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

ON5258,215

bahagian bahagian: 6234

NE3513M04-T2B-A

bahagian bahagian: 6279

Jenis Transistor: N-Channel GaAs HJ-FET, Kekerapan: 12GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 60mA, Gambar Kebisingan: 0.65dB,

NE34018-T1

bahagian bahagian: 6106

Jenis Transistor: HFET, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 120mA, Gambar Kebisingan: 0.6dB,

NE3511S02-T1C-A

bahagian bahagian: 6194

Jenis Transistor: HFET, Kekerapan: 12GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 70mA, Gambar Kebisingan: 0.3dB,

NE4210S01-T1B

bahagian bahagian: 6275

Jenis Transistor: HFET, Kekerapan: 12GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 15mA, Gambar Kebisingan: 0.5dB,

CRF24010PE

bahagian bahagian: 6161

Jenis Transistor: Silicon Carbide MESFET, Kekerapan: 1.95GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 1.8A, Gambar Kebisingan: 3.1dB,

J211_D27Z

bahagian bahagian: 6124

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Peringkat Semasa: 20mA,

MMBF5485_NB50012

bahagian bahagian: 6304

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 400MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 10mA, Gambar Kebisingan: 4dB,

MMBF4416A

bahagian bahagian: 174446

Jenis Transistor: N-Channel JFET, Kekerapan: 400MHz, Voltan - Ujian: 15V, Peringkat Semasa: 15mA, Gambar Kebisingan: 4dB,

QPD1003

bahagian bahagian: 4622

PD57002S-E

bahagian bahagian: 6117

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 250mA,

PD55025

bahagian bahagian: 6180

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz, Keuntungan: 14.5dB, Voltan - Ujian: 12.5V, Peringkat Semasa: 7A,