Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistor - Bipolar (BJT) - Bujang

2SB1202S-TL-E
ON Semiconductor

2SB1202S-TL-E

bahagian bahagian: 166096

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 3A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Bersenang-senang
2SA1552T-TL-H
ON Semiconductor

2SA1552T-TL-H

bahagian bahagian: 156797

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 1.5A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 160V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Bersenang-senang
2SB1203S-TL-E
ON Semiconductor

2SB1203S-TL-E

bahagian bahagian: 136029

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 5A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Bersenang-senang
2SD1805F-TL-E
ON Semiconductor

2SD1805F-TL-E

bahagian bahagian: 118564

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 5A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 20V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Bersenang-senang
2SA2126-S-TL-E
ON Semiconductor

2SA2126-S-TL-E

bahagian bahagian: 116971

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 3A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Bersenang-senang
2SC4135S-TL-E
ON Semiconductor

2SC4135S-TL-E

bahagian bahagian: 170944

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 2A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 100V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Bersenang-senang
2SD1802S-TL-E
ON Semiconductor

2SD1802S-TL-E

bahagian bahagian: 132958

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 3A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Bersenang-senang
2SB1205T-TL-E
ON Semiconductor

2SB1205T-TL-E

bahagian bahagian: 165039

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 5A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 20V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 500nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Bersenang-senang
2SB1204T-TL-E
ON Semiconductor

2SB1204T-TL-E

bahagian bahagian: 163001

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 8A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Bersenang-senang
2SA2126-TL-E
ON Semiconductor

2SA2126-TL-E

bahagian bahagian: 109992

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 3A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Bersenang-senang
2SD1803T-E
ON Semiconductor

2SD1803T-E

bahagian bahagian: 115921

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 5A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 1µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Bersenang-senang
2SA2169-E
ON Semiconductor

2SA2169-E

bahagian bahagian: 189477

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 10A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Bersenang-senang
2SA1746
Sanken

2SA1746

bahagian bahagian: 19911

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 12A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 5A, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 1V,

Bersenang-senang
2SC4131
Sanken

2SC4131

bahagian bahagian: 18825

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 15A, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 400mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10µA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 1V,

Bersenang-senang
2PD602AR,115
NXP USA Inc.

2PD602AR,115

bahagian bahagian: 7100

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 500mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD602AQ,115
NXP USA Inc.

2PD602AQ,115

bahagian bahagian: 6721

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 500mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD601AR,115
NXP USA Inc.

2PD601AR,115

bahagian bahagian: 7074

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD601AS,115
NXP USA Inc.

2PD601AS,115

bahagian bahagian: 7132

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD601AQW,115
NXP USA Inc.

2PD601AQW,115

bahagian bahagian: 7098

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD601AQ,115
NXP USA Inc.

2PD601AQ,115

bahagian bahagian: 6754

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PD1820AQ,115
NXP USA Inc.

2PD1820AQ,115

bahagian bahagian: 7053

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 500mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Bersenang-senang
2PC4617SM,315
NXP USA Inc.

2PC4617SM,315

bahagian bahagian: 7071

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC4617S,115
NXP USA Inc.

2PC4617S,115

bahagian bahagian: 7142

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815Y,126
NXP USA Inc.

2PC1815Y,126

bahagian bahagian: 7078

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815Y,412
NXP USA Inc.

2PC1815Y,412

bahagian bahagian: 7126

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815GR,126
NXP USA Inc.

2PC1815GR,126

bahagian bahagian: 7067

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815GR,116
NXP USA Inc.

2PC1815GR,116

bahagian bahagian: 7061

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815GR,412
NXP USA Inc.

2PC1815GR,412

bahagian bahagian: 7068

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PC1815BL,126
NXP USA Inc.

2PC1815BL,126

bahagian bahagian: 7138

Jenis Transistor: NPN, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang
2PB710AR,115
NXP USA Inc.

2PB710AR,115

bahagian bahagian: 7090

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 500mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Bersenang-senang
2PB710AQ,115
NXP USA Inc.

2PB710AQ,115

bahagian bahagian: 7074

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 500mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Bersenang-senang
2PB709AR,115
NXP USA Inc.

2PB709AR,115

bahagian bahagian: 7072

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 45V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PB709AS,115
NXP USA Inc.

2PB709AS,115

bahagian bahagian: 7091

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 45V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PB709AQ,115
NXP USA Inc.

2PB709AQ,115

bahagian bahagian: 7143

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 45V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PB709AQW,115
NXP USA Inc.

2PB709AQW,115

bahagian bahagian: 6712

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 100mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 45V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 10nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Bersenang-senang
2PA1015GR,126
NXP USA Inc.

2PA1015GR,126

bahagian bahagian: 7084

Jenis Transistor: PNP, Semasa - Pemungut (Ic) (Maks): 150mA, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 50V, Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Semasa - Potongan Pemungut (Maksimum): 100nA (ICBO), Keuntungan Semasa DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Bersenang-senang