Ingatan

S70GL02GS11FHV023

S70GL02GS11FHV023

bahagian bahagian: 3629

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

Senarai harapan
STK14C88A-WAF

STK14C88A-WAF

bahagian bahagian: 1858

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
S29GL512P10TFCR10D

S29GL512P10TFCR10D

bahagian bahagian: 5586

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S34ML08G201BHB000

S34ML08G201BHB000

bahagian bahagian: 4051

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL032P0XMFI001M

S25FL032P0XMFI001M

bahagian bahagian: 2793

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
IS29GL01GS-11TFV013

IS29GL01GS-11TFV013

bahagian bahagian: 718

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL064P0XNFV003M

S25FL064P0XNFV003M

bahagian bahagian: 3197

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34ML02G200BHA000

S34ML02G200BHA000

bahagian bahagian: 9659

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS29GL128S-10DHB010

IS29GL128S-10DHB010

bahagian bahagian: 6932

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S34ML02G200BHI003

S34ML02G200BHI003

bahagian bahagian: 12553

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL132K0XNFI040

S25FL132K0XNFI040

bahagian bahagian: 3699

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY7C1444AV33-1XWI

CY7C1444AV33-1XWI

bahagian bahagian: 9350

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36),

Senarai harapan
CQ191-80056

CQ191-80056

bahagian bahagian: 2727

Senarai harapan
S34SL02G200BHV003

S34SL02G200BHV003

bahagian bahagian: 11315

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

Senarai harapan
S29GL01GP13FAIV10

S29GL01GP13FAIV10

bahagian bahagian: 2008

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,

Senarai harapan
S29PL127J65BAW000

S29PL127J65BAW000

bahagian bahagian: 7336

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 65ns,

Senarai harapan
S25FL064P0XMFV000M

S25FL064P0XMFV000M

bahagian bahagian: 3080

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S29GL512P10FAIR10

S29GL512P10FAIR10

bahagian bahagian: 2021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
S29GL512P11TFI020D

S29GL512P11TFI020D

bahagian bahagian: 5614

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
IS29GL01GS-11DHB02

IS29GL01GS-11DHB02

bahagian bahagian: 7483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S34ML08G201TFV000

S34ML08G201TFV000

bahagian bahagian: 4027

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S70GL02GS12FHVV23

S70GL02GS12FHVV23

bahagian bahagian: 1723

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

Senarai harapan
S25FL032P0XMFI003M

S25FL032P0XMFI003M

bahagian bahagian: 9043

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34ML08G201TFB003

S34ML08G201TFB003

bahagian bahagian: 4733

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL064P0XMFV003M

S25FL064P0XMFV003M

bahagian bahagian: 3179

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY62167GE-45ZXI

CY62167GE-45ZXI

bahagian bahagian: 4432

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S29GL512N11TFVR20

S29GL512N11TFVR20

bahagian bahagian: 3473

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
FM25040B-GA1

FM25040B-GA1

bahagian bahagian: 6803

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 14MHz,

Senarai harapan
S99FL132KI010

S99FL132KI010

bahagian bahagian: 3492

Senarai harapan
S99GL01GP11TFIR20

S99GL01GP11TFIR20

bahagian bahagian: 9316

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

Senarai harapan
S34SL04G200BHI003

S34SL04G200BHI003

bahagian bahagian: 9623

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
S34MS08G201BHA000

S34MS08G201BHA000

bahagian bahagian: 4176

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CG8257AAT

CG8257AAT

bahagian bahagian: 5325

Senarai harapan
S34SL04G200BHI000

S34SL04G200BHI000

bahagian bahagian: 8291

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
IS29GL512S-11DHV020

IS29GL512S-11DHV020

bahagian bahagian: 692

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan