Ingatan

S29PL064J60BFW122

S29PL064J60BFW122

bahagian bahagian: 3945

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL132K0XBHV020

S25FL132K0XBHV020

bahagian bahagian: 4470

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34ML02G100BHA000

S34ML02G100BHA000

bahagian bahagian: 5049

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S34ML01G100TFI900

S34ML01G100TFI900

bahagian bahagian: 4903

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CG7901AA

CG7901AA

bahagian bahagian: 7846

Senarai harapan
S25FL132K0XMFV011

S25FL132K0XMFV011

bahagian bahagian: 5569

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34ML01G200TFB000

S34ML01G200TFB000

bahagian bahagian: 7531

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL129P0XNFV003

S25FL129P0XNFV003

bahagian bahagian: 3589

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S40410161B1B2I013

S40410161B1B2I013

bahagian bahagian: 6920

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
S29GL01GS11TFB010

S29GL01GS11TFB010

bahagian bahagian: 160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHV210

S25FL129P0XBHV210

bahagian bahagian: 4347

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34MS01G200BHV000

S34MS01G200BHV000

bahagian bahagian: 6958

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S34ML08G101TFA000

S34ML08G101TFA000

bahagian bahagian: 5204

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL164K0XWEI009

S25FL164K0XWEI009

bahagian bahagian: 3090

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29PL032J70BAI123

S29PL032J70BAI123

bahagian bahagian: 3935

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29PL127J70BAW020

S29PL127J70BAW020

bahagian bahagian: 7325

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHI213

S25FL129P0XBHI213

bahagian bahagian: 3403

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S29PL127J70BFW020

S29PL127J70BFW020

bahagian bahagian: 7383

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
CY7C1360C-166AJXC

CY7C1360C-166AJXC

bahagian bahagian: 5619

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
S34ML04G200BHA003

S34ML04G200BHA003

bahagian bahagian: 4123

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S34ML04G100TFA003

S34ML04G100TFA003

bahagian bahagian: 4095

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY62167ELL-45ZXI

CY62167ELL-45ZXI

bahagian bahagian: 5249

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S70FL01GSDSBHMC10

S70FL01GSDSBHMC10

bahagian bahagian: 6312

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,

Senarai harapan
S34ML04G200BHB003

S34ML04G200BHB003

bahagian bahagian: 4163

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL164K0XBHIS33

S25FL164K0XBHIS33

bahagian bahagian: 3725

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY7C185-1XW14I

CY7C185-1XW14I

bahagian bahagian: 7608

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
FM28V020-T28G

FM28V020-T28G

bahagian bahagian: 7015

Senarai harapan
S29PL127J70TFI133

S29PL127J70TFI133

bahagian bahagian: 4001

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S34ML02G100BHB000

S34ML02G100BHB000

bahagian bahagian: 7961

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL512P12FFIV12

S29GL512P12FFIV12

bahagian bahagian: 3908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
S34ML02G100TFV000

S34ML02G100TFV000

bahagian bahagian: 7705

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL01GP11FFSS80

S29GL01GP11FFSS80

bahagian bahagian: 4678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XMFV043

S25FL116K0XMFV043

bahagian bahagian: 3386

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34MS04G100TFB000

S34MS04G100TFB000

bahagian bahagian: 9311

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S34ML01G200TFA000

S34ML01G200TFA000

bahagian bahagian: 5015

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan