Ingatan

S26KS512SDGBHV030

S26KS512SDGBHV030

bahagian bahagian: 4679

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CG8264AAT

CG8264AAT

bahagian bahagian: 7572

Senarai harapan
S26KS512SDGBHB030

S26KS512SDGBHB030

bahagian bahagian: 4682

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S70GL02GP11FAIR12

S70GL02GP11FAIR12

bahagian bahagian: 2674

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

Senarai harapan
S25FL164K0XMFIQ11

S25FL164K0XMFIQ11

bahagian bahagian: 643

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S99GL032AB

S99GL032AB

bahagian bahagian: 3432

Senarai harapan
CY7C1354CV25-166BZC

CY7C1354CV25-166BZC

bahagian bahagian: 5365

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
CY62157H30-45BVXA

CY62157H30-45BVXA

bahagian bahagian: 132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S26KS256SDPBHN020

S26KS256SDPBHN020

bahagian bahagian: 5536

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
S29GL01GT13TFNV10

S29GL01GT13TFNV10

bahagian bahagian: 4856

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
IS29GL128S-10DHV02

IS29GL128S-10DHV02

bahagian bahagian: 5322

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL132K0XMFI040

S25FL132K0XMFI040

bahagian bahagian: 378

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CG8268AAT

CG8268AAT

bahagian bahagian: 7543

Senarai harapan
CG8100AAT

CG8100AAT

bahagian bahagian: 447

Senarai harapan
CG7825AAT

CG7825AAT

bahagian bahagian: 7865

Senarai harapan
S29GL01GP11FAIR12

S29GL01GP11FAIR12

bahagian bahagian: 2505

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S70FL01GSDPBHVC10

S70FL01GSDPBHVC10

bahagian bahagian: 722

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 66MHz,

Senarai harapan
S99PL127J0170

S99PL127J0170

bahagian bahagian: 2620

Senarai harapan
FM25V20A-DGTR

FM25V20A-DGTR

bahagian bahagian: 5568

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
CY7C1024DV33-10BGXIT

CY7C1024DV33-10BGXIT

bahagian bahagian: 5403

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 3Mb (128K x 24), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS29GL256S-10DHV01-TR

IS29GL256S-10DHV01-TR

bahagian bahagian: 5344

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV18LL-55BVXI

bahagian bahagian: 5456

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
S34MS01G100BHI003

S34MS01G100BHI003

bahagian bahagian: 766

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY62162G30-45BGXIT

CY62162G30-45BGXIT

bahagian bahagian: 5432

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY62162G18-55BGXIT

CY62162G18-55BGXIT

bahagian bahagian: 5403

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
CG8315AA

CG8315AA

bahagian bahagian: 7970

Senarai harapan
S25FL032P0XNFI001M

S25FL032P0XNFI001M

bahagian bahagian: 4600

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S25FL116K0XNFI010

S25FL116K0XNFI010

bahagian bahagian: 285

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan