Ingatan

S34ML02G100TFV003

S34ML02G100TFV003

bahagian bahagian: 4091

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL132K0XBHV023

S25FL132K0XBHV023

bahagian bahagian: 3612

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34ML02G200BHV003

S34ML02G200BHV003

bahagian bahagian: 6676

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29PL064J60BFW123

S29PL064J60BFW123

bahagian bahagian: 3994

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL01GT12DHN010

S29GL01GT12DHN010

bahagian bahagian: 4319

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29PL032J60BFW120

S29PL032J60BFW120

bahagian bahagian: 4758

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S70FS01GSDSBHM210

S70FS01GSDSBHM210

bahagian bahagian: 4229

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,

Senarai harapan
S25FL164K0XMFIS13

S25FL164K0XMFIS13

bahagian bahagian: 3737

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S25FL032P0XMFV011

S25FL032P0XMFV011

bahagian bahagian: 5437

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S70GL02GP11FFIR20

S70GL02GP11FFIR20

bahagian bahagian: 5476

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

Senarai harapan
S34ML01G200GHI003

S34ML01G200GHI003

bahagian bahagian: 4065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL164K0XBHV033

S25FL164K0XBHV033

bahagian bahagian: 3707

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CG8406AAT

CG8406AAT

bahagian bahagian: 7682

Senarai harapan
S25FL132K0XNFV013

S25FL132K0XNFV013

bahagian bahagian: 3638

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S25FL132K0XMFV043

S25FL132K0XMFV043

bahagian bahagian: 3688

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CG7803AA

CG7803AA

bahagian bahagian: 7828

Senarai harapan
S25FL116K0XBHIS23

S25FL116K0XBHIS23

bahagian bahagian: 3276

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29AS008J70BFI043

S29AS008J70BFI043

bahagian bahagian: 7436

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S34ML04G200TFB003

S34ML04G200TFB003

bahagian bahagian: 4185

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S40410081B1B2W003

S40410081B1B2W003

bahagian bahagian: 6851

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
S29PL127J60BFI000

S29PL127J60BFI000

bahagian bahagian: 7518

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S34MS01G200TFA003

S34MS01G200TFA003

bahagian bahagian: 6711

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHIZ03

S25FL129P0XBHIZ03

bahagian bahagian: 3515

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34ML16G202BHI003

S34ML16G202BHI003

bahagian bahagian: 4203

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C1051DV33-10ZSXI

CY7C1051DV33-10ZSXI

bahagian bahagian: 4924

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
S29GL01GP11TAIR10

S29GL01GP11TAIR10

bahagian bahagian: 4758

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY14B101LA-ZS45XIT

CY14B101LA-ZS45XIT

bahagian bahagian: 5005

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XMFIQ13

S25FL116K0XMFIQ13

bahagian bahagian: 3406

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S34MS02G200BHI000

S34MS02G200BHI000

bahagian bahagian: 10853

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S25FL116K0XWEI009

S25FL116K0XWEI009

bahagian bahagian: 3028

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29AS008J70WEI049

S29AS008J70WEI049

bahagian bahagian: 3225

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29PL127J60BAI000

S29PL127J60BAI000

bahagian bahagian: 4846

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29AS008J70BHI030

S29AS008J70BHI030

bahagian bahagian: 4619

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHV300

S25FL129P0XBHV300

bahagian bahagian: 7500

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S25FL164K0XMFV000

S25FL164K0XMFV000

bahagian bahagian: 4620

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan