Ingatan

IS61LPD51236A-250B3LI-TR

IS61LPD51236A-250B3LI-TR

bahagian bahagian: 4368

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
IS42SM16160D-7BLI

IS42SM16160D-7BLI

bahagian bahagian: 4075

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42RM32800D-75TLI

IS42RM32800D-75TLI

bahagian bahagian: 3979

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS61NVF51236B-7.5TQLI

IS61NVF51236B-7.5TQLI

bahagian bahagian: 4657

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS25LQ512B-JDLE-TR

IS25LQ512B-JDLE-TR

bahagian bahagian: 5735

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 800µs,

Senarai harapan
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR

bahagian bahagian: 792

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS42SM32400H-75BI-TR

IS42SM32400H-75BI-TR

bahagian bahagian: 3701

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS61WV102416ALL-20TLI-TR

IS61WV102416ALL-20TLI-TR

bahagian bahagian: 4091

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
IS43QR16256A-083RBL

IS43QR16256A-083RBL

bahagian bahagian: 4801

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
IS61QDB21M36C-250M3L

IS61QDB21M36C-250M3L

bahagian bahagian: 4112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QUAD, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
IS42S16320D-7BL

IS42S16320D-7BL

bahagian bahagian: 4003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS62WV25616DALL-55BLI

IS62WV25616DALL-55BLI

bahagian bahagian: 705

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS42VM16800E-75BLI

IS42VM16800E-75BLI

bahagian bahagian: 4401

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS42RM32200M-6BLI-TR

IS42RM32200M-6BLI-TR

bahagian bahagian: 3584

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1

IS67WVC4M16ALL-7010BLA1

bahagian bahagian: 1090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS43DR82560C-25DBLI

IS43DR82560C-25DBLI

bahagian bahagian: 3210

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16320D-7TLA2-TR

IS45S16320D-7TLA2-TR

bahagian bahagian: 3604

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42VM16800E-75BLI-TR

IS42VM16800E-75BLI-TR

bahagian bahagian: 4352

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS64LPS25636A-166TQLA3-TR

IS64LPS25636A-166TQLA3-TR

bahagian bahagian: 4175

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42VM16160D-8BL-TR

IS42VM16160D-8BL-TR

bahagian bahagian: 4267

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz,

Senarai harapan
IS42VM32400G-6BL

IS42VM32400G-6BL

bahagian bahagian: 4457

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS42S32160F-7BLI

IS42S32160F-7BLI

bahagian bahagian: 3629

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42SM32400G-75BI-TR

IS42SM32400G-75BI-TR

bahagian bahagian: 4154

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS42RM32200M-6BLI

IS42RM32200M-6BLI

bahagian bahagian: 3515

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61DDB22M18C-250M3

IS61DDB22M18C-250M3

bahagian bahagian: 473

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR

IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR

bahagian bahagian: 1106

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS61LF51236B-7.5TQLI

IS61LF51236B-7.5TQLI

bahagian bahagian: 4145

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS46LD32320A-3BPLA1-TR

IS46LD32320A-3BPLA1-TR

bahagian bahagian: 4729

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S16320B-7BL

IS42S16320B-7BL

bahagian bahagian: 3560

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42SM32100C-6BLI-TR

IS42SM32100C-6BLI-TR

bahagian bahagian: 4176

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 32Mb (1M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61WV102416BLL-10MLI-TR

IS61WV102416BLL-10MLI-TR

bahagian bahagian: 4735

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S16320D-7CTLA1-TR

IS45S16320D-7CTLA1-TR

bahagian bahagian: 3934

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS46TR16640BL-125JBLA2

IS46TR16640BL-125JBLA2

bahagian bahagian: 7814

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-75EBLI

IS42S32160F-75EBLI

bahagian bahagian: 4341

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS46TR16256AL-15HBLA2-TR

IS46TR16256AL-15HBLA2-TR

bahagian bahagian: 3876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16320F-7TLA2-TR

IS45S16320F-7TLA2-TR

bahagian bahagian: 4135

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan