Ingatan

IS66WV51216DBLL-55TLI

IS66WV51216DBLL-55TLI

bahagian bahagian: 3952

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS46TR16256A-15HBLA1

IS46TR16256A-15HBLA1

bahagian bahagian: 4281

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25LQ016B-JLLE

IS25LQ016B-JLLE

bahagian bahagian: 2318

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS43DR16128A-3DBLI-TR

IS43DR16128A-3DBLI-TR

bahagian bahagian: 4270

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16128B-3DBL-TR

IS43DR16128B-3DBL-TR

bahagian bahagian: 2561

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LD16640A-25BLI

IS43LD16640A-25BLI

bahagian bahagian: 1909

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

bahagian bahagian: 5355

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS43LD32320A-3BLI

IS43LD32320A-3BLI

bahagian bahagian: 2119

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16128A-3DBL

IS43DR16128A-3DBL

bahagian bahagian: 4383

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LD32320A-3BL-TR

IS43LD32320A-3BL-TR

bahagian bahagian: 2157

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS64WV102416BLL-10MA3

IS64WV102416BLL-10MA3

bahagian bahagian: 6462

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS65WV1288DBLL-45TLA3

IS65WV1288DBLL-45TLA3

bahagian bahagian: 3865

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS61LPD25636A-200TQLI

IS61LPD25636A-200TQLI

bahagian bahagian: 5147

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS45S16320F-6TLA1

IS45S16320F-6TLA1

bahagian bahagian: 4472

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

bahagian bahagian: 3926

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 4333

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR

IS66WV51216DBLL-70BLI-TR

bahagian bahagian: 4094

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS43LD16640A-25BLI-TR

IS43LD16640A-25BLI-TR

bahagian bahagian: 2090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

bahagian bahagian: 4298

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR

IS66WV51216DBLL-70TLI-TR

bahagian bahagian: 4150

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS66WVE1M16BLL-55BLI

IS66WVE1M16BLL-55BLI

bahagian bahagian: 4254

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS64WV10248EDBLL-10BLA3

IS64WV10248EDBLL-10BLA3

bahagian bahagian: 124

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-6TLI

IS42S32160F-6TLI

bahagian bahagian: 4584

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS42S16320D-7BLI

IS42S16320D-7BLI

bahagian bahagian: 4294

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS42S16320F-6BLI

IS42S16320F-6BLI

bahagian bahagian: 4800

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS25LP064-JKLE

IS25LP064-JKLE

bahagian bahagian: 2304

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 800µs,

Senarai harapan
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 3946

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS61NLF51218A-7.5TQLI

IS61NLF51218A-7.5TQLI

bahagian bahagian: 5187

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS25LQ016B-JMLE-TR

IS25LQ016B-JMLE-TR

bahagian bahagian: 2326

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS66WVE2M16BLL-70BLI

IS66WVE2M16BLL-70BLI

bahagian bahagian: 4296

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS61LPS51218B-200TQLI

IS61LPS51218B-200TQLI

bahagian bahagian: 5222

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS43LD16640A-25BL-TR

IS43LD16640A-25BL-TR

bahagian bahagian: 2107

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61WV10248EDBLL-10BLI

IS61WV10248EDBLL-10BLI

bahagian bahagian: 5215

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS64WV102416BLL-10MA3-TR

IS64WV102416BLL-10MA3-TR

bahagian bahagian: 3803

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS43LD16640A-3BL

IS43LD16640A-3BL

bahagian bahagian: 2109

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 2676

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan