Ingatan

IS61NVP25636A-200TQLI

IS61NVP25636A-200TQLI

bahagian bahagian: 5154

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS46LR16320B-6BLA2

IS46LR16320B-6BLA2

bahagian bahagian: 4367

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS25LQ080B-JKLE

IS25LQ080B-JKLE

bahagian bahagian: 77101

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS25LQ080-JNLE-TR

IS25LQ080-JNLE-TR

bahagian bahagian: 6295

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS61WV102416FBLL-10TLI

IS61WV102416FBLL-10TLI

bahagian bahagian: 65

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR

IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR

bahagian bahagian: 4232

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS45S16320F-7TLA1

IS45S16320F-7TLA1

bahagian bahagian: 4636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS46TR16256AL-125KBLA1-TR

IS46TR16256AL-125KBLA1-TR

bahagian bahagian: 4358

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43TR85120AL-15HBL

IS43TR85120AL-15HBL

bahagian bahagian: 4540

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LD16640A-3BL-TR

IS43LD16640A-3BL-TR

bahagian bahagian: 2144

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43LD32320A-3BL

IS43LD32320A-3BL

bahagian bahagian: 2088

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61LPS51218A-200TQLI

IS61LPS51218A-200TQLI

bahagian bahagian: 5192

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS61LPS25636B-200TQLI

IS61LPS25636B-200TQLI

bahagian bahagian: 5183

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS42S32160F-6TLI-TR

IS42S32160F-6TLI-TR

bahagian bahagian: 5101

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS43DR16128B-3DBLI

IS43DR16128B-3DBLI

bahagian bahagian: 2535

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25LQ016B-JLLE-TR

IS25LQ016B-JLLE-TR

bahagian bahagian: 2337

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR

IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR

bahagian bahagian: 2593

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 7530

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS43LR32640A-6BL

IS43LR32640A-6BL

bahagian bahagian: 3735

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS46DR16128A-3DBLA2

IS46DR16128A-3DBLA2

bahagian bahagian: 2956

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

bahagian bahagian: 5612

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS71LD32160WP128-3BPLI

IS71LD32160WP128-3BPLI

bahagian bahagian: 3063

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 128Mb Flash, 512Mb DRAM, Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 2645

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR

IS64WV51216BLL-10MLA3-TR

bahagian bahagian: 5068

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS66WV51216DBLL-55BLI

IS66WV51216DBLL-55BLI

bahagian bahagian: 4007

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR

IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 3899

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS25LQ080B-JBLE

IS25LQ080B-JBLE

bahagian bahagian: 1262

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS61VPS25636A-200TQLI

IS61VPS25636A-200TQLI

bahagian bahagian: 5159

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS42S32160D-6BI-TR

IS42S32160D-6BI-TR

bahagian bahagian: 4308

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR

IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR

bahagian bahagian: 4328

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-75ETLI-TR

IS42S32160F-75ETLI-TR

bahagian bahagian: 4738

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS61NLP25636A-200B3LI

IS61NLP25636A-200B3LI

bahagian bahagian: 5082

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS25LQ040-JBLE-TR

IS25LQ040-JBLE-TR

bahagian bahagian: 4431

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 700µs,

Senarai harapan
IS25LQ080-JVLE-TR

IS25LQ080-JVLE-TR

bahagian bahagian: 4561

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS66WV51216DBLL-70BLI

IS66WV51216DBLL-70BLI

bahagian bahagian: 4062

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS25LQ080B-JNLE-TR

IS25LQ080B-JNLE-TR

bahagian bahagian: 2391

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan