Ingatan

M93C86-MN6P

M93C86-MN6P

bahagian bahagian: 116586

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M34D64-WMN6P

M34D64-WMN6P

bahagian bahagian: 8393

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M48Z02-150PC1

M48Z02-150PC1

bahagian bahagian: 9203

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
M95256-WMW6G

M95256-WMW6G

bahagian bahagian: 9668

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND01GW3B2AN6F

NAND01GW3B2AN6F

bahagian bahagian: 9787

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 30ns,

Senarai harapan
M93C86-WBN6P

M93C86-WBN6P

bahagian bahagian: 9467

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND128W3A0AN6E

NAND128W3A0AN6E

bahagian bahagian: 9985

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M93C46-WBN6P

M93C46-WBN6P

bahagian bahagian: 9367

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93S56-WBN6P

M93S56-WBN6P

bahagian bahagian: 9557

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95080-MN6T

M95080-MN6T

bahagian bahagian: 9589

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND512W3A0AN6

NAND512W3A0AN6

bahagian bahagian: 9966

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M29W200BB70M1

M29W200BB70M1

bahagian bahagian: 7753

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M29F080D70N1

M29F080D70N1

bahagian bahagian: 6752

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M93C56-WBN6

M93C56-WBN6

bahagian bahagian: 9400

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C76-WMN6T

M93C76-WMN6T

bahagian bahagian: 9471

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F

bahagian bahagian: 10039

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M93C76-WMN6P

M93C76-WMN6P

bahagian bahagian: 9406

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND256W3A0AN6F

NAND256W3A0AN6F

bahagian bahagian: 9948

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M95160-MN6P

M95160-MN6P

bahagian bahagian: 9628

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M29W040B90K1

M29W040B90K1

bahagian bahagian: 7500

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
M29W010B90N1

M29W010B90N1

bahagian bahagian: 7416

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
M93C56-MN6TP

M93C56-MN6TP

bahagian bahagian: 9395

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C76-MN6TP

M93C76-MN6TP

bahagian bahagian: 9470

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95128-WMN6T

M95128-WMN6T

bahagian bahagian: 9665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND01GW4B2AN6E

NAND01GW4B2AN6E

bahagian bahagian: 9800

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 30ns,

Senarai harapan
M29F200BB45N1

M29F200BB45N1

bahagian bahagian: 6796

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
M59DR032EA10ZB6T

M59DR032EA10ZB6T

bahagian bahagian: 9284

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
M93C46-RDS6TG

M93C46-RDS6TG

bahagian bahagian: 9316

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M87C257-15C6

M87C257-15C6

bahagian bahagian: 9232

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
NAND256W3A0AN6

NAND256W3A0AN6

bahagian bahagian: 9891

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M95080-WMN6

M95080-WMN6

bahagian bahagian: 9642

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M36DR432AD10ZA6T

M36DR432AD10ZA6T

bahagian bahagian: 8420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16),

Senarai harapan
NAND02GW3B2AN6F

NAND02GW3B2AN6F

bahagian bahagian: 10039

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 30ns,

Senarai harapan
M58LW032D90ZA6

M58LW032D90ZA6

bahagian bahagian: 9102

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
M95160-MN6TP

M95160-MN6TP

bahagian bahagian: 9724

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93S66-WBN6

M93S66-WBN6

bahagian bahagian: 9598

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan