Ingatan

M27C256B-70C6

M27C256B-70C6

bahagian bahagian: 548

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M48Z2M1V-85PL1

M48Z2M1V-85PL1

bahagian bahagian: 882

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
M48Z2M1Y-70PL1

M48Z2M1Y-70PL1

bahagian bahagian: 975

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M27C2001-12C1

M27C2001-12C1

bahagian bahagian: 8809

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8),

Senarai harapan
M27C801-55K1

M27C801-55K1

bahagian bahagian: 8813

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8),

Senarai harapan
NAND512W3A2BZA6E

NAND512W3A2BZA6E

bahagian bahagian: 8588

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
DSM2180F3-90T6

DSM2180F3-90T6

bahagian bahagian: 758

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M27C4001-12B1

M27C4001-12B1

bahagian bahagian: 8071

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M27C512-15F6

M27C512-15F6

bahagian bahagian: 8359

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M95020-MN6

M95020-MN6

bahagian bahagian: 1368

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M48Z512AY-70PM1

M48Z512AY-70PM1

bahagian bahagian: 1798

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M48Z02-200PC1

M48Z02-200PC1

bahagian bahagian: 1196

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
M27C1001-70F1

M27C1001-70F1

bahagian bahagian: 7801

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
DSM2190F4V-15K6

DSM2190F4V-15K6

bahagian bahagian: 7506

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8),

Senarai harapan
M29W160EB70ZA6

M29W160EB70ZA6

bahagian bahagian: 1772

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M25P40-VMP6

M25P40-VMP6

bahagian bahagian: 7412

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 50MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms, 15ms,

Senarai harapan
NAND512W3A0AN6E

NAND512W3A0AN6E

bahagian bahagian: 7575

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M24128-BWMN6

M24128-BWMN6

bahagian bahagian: 9408

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M27C256B-15C1

M27C256B-15C1

bahagian bahagian: 7941

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
NAND512W3A0AV6E

NAND512W3A0AV6E

bahagian bahagian: 7588

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M27C256B-12C6

M27C256B-12C6

bahagian bahagian: 7853

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M27C64A-10F1

M27C64A-10F1

bahagian bahagian: 8589

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8),

Senarai harapan
M68AW256ML70ZB6

M68AW256ML70ZB6

bahagian bahagian: 9111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M27C256B-12C1

M27C256B-12C1

bahagian bahagian: 7855

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
DSM2180F3V-15K6

DSM2180F3V-15K6

bahagian bahagian: 7440

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M48Z128-70PM1

M48Z128-70PM1

bahagian bahagian: 1546

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M24C16-WMN6T

M24C16-WMN6T

bahagian bahagian: 9273

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M68AW128ML70ZB6

M68AW128ML70ZB6

bahagian bahagian: 9082

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M48Z512A-70PM1

M48Z512A-70PM1

bahagian bahagian: 1851

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M27C512-12C6

M27C512-12C6

bahagian bahagian: 8210

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M93C56-WMN6T

M93C56-WMN6T

bahagian bahagian: 1219

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M34C02-LDW6T

M34C02-LDW6T

bahagian bahagian: 9416

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
M93S56-MN6

M93S56-MN6

bahagian bahagian: 1254

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
DSM2190F4V-15T6

DSM2190F4V-15T6

bahagian bahagian: 7444

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8),

Senarai harapan
M30LW128D110N6

M30LW128D110N6

bahagian bahagian: 9053

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
M27C1001-10B1

M27C1001-10B1

bahagian bahagian: 7502

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan