Ingatan

M48Z512BV-85PM1

M48Z512BV-85PM1

bahagian bahagian: 1719

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
M24C64-WMN6P

M24C64-WMN6P

bahagian bahagian: 488

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M48Z12-150PC1

M48Z12-150PC1

bahagian bahagian: 8889

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
M24C32M-FCU6T/TF

M24C32M-FCU6T/TF

bahagian bahagian: 152428

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M27W512-100K6TR

M27W512-100K6TR

bahagian bahagian: 674

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M95080-RMN6P

M95080-RMN6P

bahagian bahagian: 671

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95010-RMN6P

M95010-RMN6P

bahagian bahagian: 619

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M48Z35Y-70MH1F

M48Z35Y-70MH1F

bahagian bahagian: 9901

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M24M01-RMW6G

M24M01-RMW6G

bahagian bahagian: 487

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C86-MN6

M93C86-MN6

bahagian bahagian: 9511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95020-WMN6T

M95020-WMN6T

bahagian bahagian: 9559

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M36W432T85ZA6T

M36W432T85ZA6T

bahagian bahagian: 8468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
M29W040B70N1

M29W040B70N1

bahagian bahagian: 7422

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M93S56-WBN6

M93S56-WBN6

bahagian bahagian: 9585

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C46-MN6

M93C46-MN6

bahagian bahagian: 9996

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M48Z02-70PC1

M48Z02-70PC1

bahagian bahagian: 9233

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M93C66-MN6TP

M93C66-MN6TP

bahagian bahagian: 9418

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M59DR032EA10ZB6

M59DR032EA10ZB6

bahagian bahagian: 9257

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
M93C56-RMN6P

M93C56-RMN6P

bahagian bahagian: 9334

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C46-RDS6G

M93C46-RDS6G

bahagian bahagian: 9301

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND256W3A2BN6F

NAND256W3A2BN6F

bahagian bahagian: 9953

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M95160-MN6T

M95160-MN6T

bahagian bahagian: 9716

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C56-RDS6G

M93C56-RDS6G

bahagian bahagian: 9417

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M87C257-12F1

M87C257-12F1

bahagian bahagian: 9267

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
NAND128W3A0AN6F

NAND128W3A0AN6F

bahagian bahagian: 9809

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
M29W200BB90N6

M29W200BB90N6

bahagian bahagian: 7838

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
M95256-RMN6P

M95256-RMN6P

bahagian bahagian: 2371

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C66-MN6P

M93C66-MN6P

bahagian bahagian: 9383

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M87C257-15F6

M87C257-15F6

bahagian bahagian: 9319

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M58WR064ET70ZB6T

M58WR064ET70ZB6T

bahagian bahagian: 9207

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 66MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M95080-MN6P

M95080-MN6P

bahagian bahagian: 9623

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95160-WMN6

M95160-WMN6

bahagian bahagian: 9671

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95040-MN6TP

M95040-MN6TP

bahagian bahagian: 9621

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95128-RDW6TG

M95128-RDW6TG

bahagian bahagian: 9635

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M95320-WDW6TG

M95320-WDW6TG

bahagian bahagian: 9754

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M29W200BT55N1

M29W200BT55N1

bahagian bahagian: 9779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan