Ingatan

W948D2FBJX6E

bahagian bahagian: 24312

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GU6MB15I

bahagian bahagian: 3744

W631GG6MB-12 TR

bahagian bahagian: 1022

W631GG8MB15I

bahagian bahagian: 2373

W631GG6MB15I

bahagian bahagian: 3789

W25Q256JVEIM

bahagian bahagian: 18483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

W949D6DBHX5E TR

bahagian bahagian: 23013

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W947D2HBJX5I TR

bahagian bahagian: 29080

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GG6MB-11 TR

bahagian bahagian: 9968

W987D2HBJX6E TR

bahagian bahagian: 30011

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GU6MB12I TR

bahagian bahagian: 7647

W987D6HBGX7E

bahagian bahagian: 28695

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GG8MB-15

bahagian bahagian: 6901

W987D2HBJX6E

bahagian bahagian: 26863

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W988D6FBGX6E

bahagian bahagian: 25228

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W25Q256JVEIM TR

bahagian bahagian: 24079

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

W29N01HVDINA

bahagian bahagian: 25056

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

W631GU8MB15I

bahagian bahagian: 3649

W29N01HVDINF

bahagian bahagian: 25100

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

W25Q256JVCIM

bahagian bahagian: 19973

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

W971GG8SB25I

bahagian bahagian: 15636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W25Q256JVFIQ

bahagian bahagian: 19342

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

W971GG8SB25I TR

bahagian bahagian: 17111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GU6MB-11

bahagian bahagian: 6095

W987D2HBJX7E TR

bahagian bahagian: 29992

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W631GG8MB12I TR

bahagian bahagian: 9074

W631GG6MB12I

bahagian bahagian: 3710

W25Q128FWEIG

bahagian bahagian: 26575

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60µs, 5ms,

W988D2FBJX6I TR

bahagian bahagian: 26115

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W25Q256JVCIQ TR

bahagian bahagian: 21626

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

W29N01HVBINF

bahagian bahagian: 24247

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

W631GG6MB11I

bahagian bahagian: 3675

W988D6FBGX6E TR

bahagian bahagian: 27160

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W971GG6SB25I TR

bahagian bahagian: 17129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W948D2FBJX6E TR

bahagian bahagian: 26965

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

W988D6FBGX6I

bahagian bahagian: 24554

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,