Ingatan

W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

bahagian bahagian: 29102

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W631GG6MB11I TR

W631GG6MB11I TR

bahagian bahagian: 7549

Senarai harapan
W631GG6MB15I TR

W631GG6MB15I TR

bahagian bahagian: 7627

Senarai harapan
W631GU6MB-15

W631GU6MB-15

bahagian bahagian: 6895

Senarai harapan
W25Q256JVFIM TR

W25Q256JVFIM TR

bahagian bahagian: 23334

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

bahagian bahagian: 21946

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W631GU6MB11I TR

W631GU6MB11I TR

bahagian bahagian: 8997

Senarai harapan
W25Q257JVFIQ

W25Q257JVFIQ

bahagian bahagian: 160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W949D2DBJX5I TR

W949D2DBJX5I TR

bahagian bahagian: 20904

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

bahagian bahagian: 30013

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

bahagian bahagian: 26671

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W631GG8MB-15 TR

W631GG8MB-15 TR

bahagian bahagian: 1801

Senarai harapan
W631GU6MB-11 TR

W631GU6MB-11 TR

bahagian bahagian: 1041

Senarai harapan
W631GG8MB-12 TR

W631GG8MB-12 TR

bahagian bahagian: 1452

Senarai harapan
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

bahagian bahagian: 17734

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

bahagian bahagian: 26132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W29N01HVBINA

W29N01HVBINA

bahagian bahagian: 24328

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND (SLC), Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

bahagian bahagian: 21918

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

bahagian bahagian: 27770

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9812G6JB-6

W9812G6JB-6

bahagian bahagian: 22237

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W631GU8MB12I

W631GU8MB12I

bahagian bahagian: 3698

Senarai harapan
W631GU8MB-12 TR

W631GU8MB-12 TR

bahagian bahagian: 1463

Senarai harapan
W25Q128FWPIG

W25Q128FWPIG

bahagian bahagian: 25972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60µs, 5ms,

Senarai harapan
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

bahagian bahagian: 27822

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

bahagian bahagian: 26902

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

bahagian bahagian: 28714

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

bahagian bahagian: 23905

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

bahagian bahagian: 21618

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W25Q256JVFIQ TR

W25Q256JVFIQ TR

bahagian bahagian: 23418

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

bahagian bahagian: 26092

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W9864G2JB-6 TR

W9864G2JB-6 TR

bahagian bahagian: 20862

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
W989D6DBGX6I TR

W989D6DBGX6I TR

bahagian bahagian: 22979

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W631GG8MB-11 TR

W631GG8MB-11 TR

bahagian bahagian: 1505

Senarai harapan
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

bahagian bahagian: 21191

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

bahagian bahagian: 24108

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
W949D6DBHX5E

W949D6DBHX5E

bahagian bahagian: 21235

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan