Transistor - FET, MOSFET - RF

3SK294(TE85L,F)

bahagian bahagian: 141644

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 500MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 6V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 1.4dB,

375-102N15A-00

bahagian bahagian: 2463

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 15A,

475-102N21A-00

bahagian bahagian: 1837

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 24A,

475-102N20A-00

bahagian bahagian: 1798

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 20A,

475-501N44A-00

bahagian bahagian: 1820

Jenis Transistor: N-Channel, Peringkat Semasa: 48A,

3SK263-5-TG-E

bahagian bahagian: 6227

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 6V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 2.2dB,

3SK264-5-TG-E

bahagian bahagian: 6289

Jenis Transistor: N-Channel Dual Gate, Kekerapan: 200MHz, Keuntungan: 23dB, Voltan - Ujian: 6V, Peringkat Semasa: 30mA, Gambar Kebisingan: 2.2dB,

ARF449BG

bahagian bahagian: 2076

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 81.36MHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 150V, Peringkat Semasa: 9A,

ARF1500

bahagian bahagian: 399

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 27.12MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 125V, Peringkat Semasa: 60A,

ARF466BG

bahagian bahagian: 1436

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 40.68MHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 150V, Peringkat Semasa: 13A,

ATF-501P8-BLK

bahagian bahagian: 11407

Jenis Transistor: E-pHEMT, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 4.5V, Peringkat Semasa: 1A, Gambar Kebisingan: 1dB,

AFT05MS004NT1

bahagian bahagian: 63944

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 520MHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 7.5V,

A2I20H060NR1

bahagian bahagian: 2592

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.84GHz, Keuntungan: 28.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

AFT09S200W02NR3

bahagian bahagian: 1078

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 960MHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

AFT05MS003NT1

bahagian bahagian: 78922

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 520MHz, Keuntungan: 20.8dB, Voltan - Ujian: 7.5V,

A2T08VD020NT1

bahagian bahagian: 131

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 728MHz ~ 960MHz, Keuntungan: 19.1dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 10µA,

AFM906NT1

bahagian bahagian: 116

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 136MHz ~ 941MHz, Voltan - Ujian: 10.8V, Peringkat Semasa: 2µA,

A2T27S007NT1

bahagian bahagian: 92

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 728MHz ~ 3.6GHz,

AFM907NT1

bahagian bahagian: 115

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 136MHz ~ 941MHz, Voltan - Ujian: 10.8V, Peringkat Semasa: 10µA,

A2T08VD021NT1

bahagian bahagian: 151

AFT27S006NT1

bahagian bahagian: 16255

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 22dB, Voltan - Ujian: 28V,

A2G26H281-04SR3

bahagian bahagian: 118

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Keuntungan: 14.2dB, Voltan - Ujian: 48V,

A3T18H360W23SR6

bahagian bahagian: 201

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.8GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 16.6dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

A3T18H400W23SR6

bahagian bahagian: 180

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 16.8dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

AFT27S012NT1

bahagian bahagian: 150

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 728MHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

A3T19H455W23SR6

bahagian bahagian: 109

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 16.4dB, Voltan - Ujian: 30V, Peringkat Semasa: 10µA,

AFG24S100HR5

bahagian bahagian: 194

Kekerapan: 1MHz ~ 2.5GHz, Keuntungan: 16.3dB,

AFV10700H-1090

bahagian bahagian: 186

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Keuntungan: 19.2dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 10µA,

A2G22S160-01SR3

bahagian bahagian: 877

Kekerapan: 2.11GHz, Keuntungan: 19.6dB, Voltan - Ujian: 48V,

A3G18H500-04SR3

bahagian bahagian: 181

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Keuntungan: 15.4dB, Voltan - Ujian: 48V,

AFT27S010NT1

bahagian bahagian: 9240

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 21.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

A2G22S251-01SR3

bahagian bahagian: 120

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 17.7dB, Voltan - Ujian: 48V,

A3T21H360W23SR6

bahagian bahagian: 134

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 16.4dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

A3T21H450W23SR6

bahagian bahagian: 120

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 15.4dB, Voltan - Ujian: 30V, Peringkat Semasa: 10µA,

A2T23H200W23SR6

bahagian bahagian: 150

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

A2G35S200-01SR3

bahagian bahagian: 108

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Keuntungan: 16.1dB, Voltan - Ujian: 48V,