Transistor - FET, MOSFET - RF

PD85006TR-E

bahagian bahagian: 7116

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 870MHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 13.6V, Peringkat Semasa: 2A,

STAC150V2-350E

bahagian bahagian: 760

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 40.68MHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 150V, Peringkat Semasa: 1µA,

SD57030

bahagian bahagian: 1426

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 4A,

PD54003-E

bahagian bahagian: 9427

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz, Keuntungan: 12dB, Voltan - Ujian: 7.5V, Peringkat Semasa: 4A,

PD54008L-E

bahagian bahagian: 14126

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 7.5V, Peringkat Semasa: 5A,

STAC4932F

bahagian bahagian: 667

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 123MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 100V,

PD20015C

bahagian bahagian: 1221

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2GHz, Keuntungan: 11dB, Voltan - Ujian: 13.6V, Peringkat Semasa: 7A,

STAC4932B

bahagian bahagian: 668

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 123MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 100V,

STAC2942FW

bahagian bahagian: 924

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 175MHz, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 40A,

SD2931-11

bahagian bahagian: 1177

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 175MHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 20A,

PTAB182002TCV2R250XUMA1

bahagian bahagian: 896

PXFC192207SHV1R250XTMA1

bahagian bahagian: 836

MRFE6S9125NR1

bahagian bahagian: 2149

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 20.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF24301HR5

bahagian bahagian: 200

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Keuntungan: 13.5dB,

MRFE6VP100HSR5

bahagian bahagian: 1126

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 512MHz, Keuntungan: 26dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRF1K50N-TF4

bahagian bahagian: 170

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.8MHz ~ 500MHz, Keuntungan: 23dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 10µA,

MRF1K50H-TF5

bahagian bahagian: 93

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.8MHz ~ 500MHz, Keuntungan: 23.7dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 20µA,

MRF21010LR5

bahagian bahagian: 6397

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF8S21200HSR5

bahagian bahagian: 6389

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 18.1dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRFE8VP8600HR5

bahagian bahagian: 566

MRFE6VP8600HR5

bahagian bahagian: 611

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 19.3dB, Voltan - Ujian: 50V,

MMRF1004NR1

bahagian bahagian: 5154

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF6V3090NBR1

bahagian bahagian: 1570

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 22dB, Voltan - Ujian: 50V,

MMRF1304GNR1

bahagian bahagian: 3747

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 512MHz, Keuntungan: 25.4dB, Voltan - Ujian: 50V,

MHT1001HR5

bahagian bahagian: 572

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.39GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF6VP3450HR6

bahagian bahagian: 598

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 22.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

MAGX-000035-010000

bahagian bahagian: 333

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 30MHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

NPT2021

bahagian bahagian: 787

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 0Hz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 7A,

MRF151A

bahagian bahagian: 839

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 30MHz ~ 175MHz, Keuntungan: 13dB ~ 22dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 16A,

MWT-173

bahagian bahagian: 3498

Jenis Transistor: MESFET, Kekerapan: 100MHz ~ 12GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 5V, Peringkat Semasa: 240mA, Gambar Kebisingan: 2dB,

PTFA072401FL-V5-R250

bahagian bahagian: 6458

PTFA211801E-V5-R0

bahagian bahagian: 6455

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

CGHV35150F

bahagian bahagian: 242

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 2.9GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 13.3dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 12A,

PTFB213208FV-V1-R250

bahagian bahagian: 110

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

PTVA042502FC-V1-R250

bahagian bahagian: 125

CE3514M4-C2

bahagian bahagian: 143118

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 12GHz, Keuntungan: 12.2dB, Voltan - Ujian: 2V, Peringkat Semasa: 68mA, Gambar Kebisingan: 0.62dB,