Transistor - FET, MOSFET - RF

CGHV1J070D-GP4

bahagian bahagian: 936

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 18GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 40V,

CGHV27015S

bahagian bahagian: 2246

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 6GHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 50V,

CGHV40320D-GP4

bahagian bahagian: 258

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 4GHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 50V,

PTRA084808NF-V1-R5

bahagian bahagian: 106

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Common Source, Kekerapan: 734MHz ~ 821MHz, Keuntungan: 18.2dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 10µA,

CGH60015D-GP4

bahagian bahagian: 465

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 6GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

CGHV22100F

bahagian bahagian: 632

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 1.8GHz ~ 2.2GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 6A,

PTFB183404E-V1-R0

bahagian bahagian: 158

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 30V,

CG2H80030D-GP4

bahagian bahagian: 141

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 8GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211503FL-V2-R250

bahagian bahagian: 164

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTFB072707FH-V1-R0

bahagian bahagian: 81

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 768MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 10µA,

PXAC241702FC-V1-R250

bahagian bahagian: 6418

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MWT-1789SB

bahagian bahagian: 8880

Jenis Transistor: MESFET, Kekerapan: 500MHz ~ 4GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 6.5V, Peringkat Semasa: 440mA, Gambar Kebisingan: 1.3dB,

MRF8P8300HR6

bahagian bahagian: 641

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 820MHz, Keuntungan: 20.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF8P20160HR3

bahagian bahagian: 6333

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.92GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF8HP21130HR3

bahagian bahagian: 6423

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

ON5453,518

bahagian bahagian: 6358

MRFE6VP8600HSR6

bahagian bahagian: 6379

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 19.3dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRFE6VP5600HR5

bahagian bahagian: 579

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 230MHz, Keuntungan: 25dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRF8S21120HR3

bahagian bahagian: 6416

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 17.6dB, Voltan - Ujian: 28V,

MRF300BN

bahagian bahagian: 1302

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 27MHz ~ 250MHz, Keuntungan: 18.7dB, Voltan - Ujian: 50V,

ON5275,135

bahagian bahagian: 6388

MMRF2010GNR1

bahagian bahagian: 386

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.09GHz, Keuntungan: 32.1dB, Voltan - Ujian: 50V,

MRF8P29300HR6

bahagian bahagian: 264

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.9GHz, Keuntungan: 13.3dB, Voltan - Ujian: 30V,

MRF8P29300HSR6

bahagian bahagian: 326

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.9GHz, Keuntungan: 13.3dB, Voltan - Ujian: 30V,

MAGX-001214-650L00

bahagian bahagian: 1061

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 19.5dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 27A,

NPTB00004A

bahagian bahagian: 3807

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 0Hz ~ 6GHz, Keuntungan: 14.8dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 1.4A,

PD57070S-E

bahagian bahagian: 1430

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 14.7dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 7A,

SD2941-10W

bahagian bahagian: 1014

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 175MHz, Keuntungan: 15.8dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 20A,

SD2943W

bahagian bahagian: 583

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 30MHz, Keuntungan: 25dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 40A,

PD57030S-E

bahagian bahagian: 1749

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 4A,

SD56120

bahagian bahagian: 484

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 860MHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V, Peringkat Semasa: 14A,

PD85050S

bahagian bahagian: 3438

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 870MHz, Keuntungan: 12dB, Voltan - Ujian: 13.6V, Peringkat Semasa: 1µA,

STAC2933

bahagian bahagian: 728

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 30MHz, Keuntungan: 23.5dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 40A,

CLF1G0035S-50,112

bahagian bahagian: 442

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 3GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

VRF2933

bahagian bahagian: 682

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 150MHz, Keuntungan: 25dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 2mA,

IXZR08N120A-00

bahagian bahagian: 1816

Jenis Transistor: N-Channel, Kekerapan: 65MHz, Keuntungan: 23dB, Voltan - Ujian: 100V, Peringkat Semasa: 8A,