Ingatan

CY7C1069G-10BVXIT

bahagian bahagian: 2986

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S39MS01GR25WPW009

bahagian bahagian: 192

S29PL064J60BFI120L

bahagian bahagian: 6189

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1012AV33-8BGCT

bahagian bahagian: 2580

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 12Mb (512K x 24), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ns,

CY7C1393KV18-333BZI

bahagian bahagian: 2542

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 333MHz,

CY7C1061GE30-10BV1XI

bahagian bahagian: 2828

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

V29F010B-120PC

bahagian bahagian: 879

CY7C1061GE-10ZXI

bahagian bahagian: 2436

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S29PL127J60TDI130H

bahagian bahagian: 6233

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S99PL127J0030A

bahagian bahagian: 5968

QMP29GL064A90TFIR20

bahagian bahagian: 9500

S99PL064J0010

bahagian bahagian: 5970

S29PL064J60BAI120A

bahagian bahagian: 5720

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S99LV065D

bahagian bahagian: 795

CY7C1318KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 2648

CY62177EV30LL-55BAXIT

bahagian bahagian: 2519

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C1373KV33-100AXC

bahagian bahagian: 2723

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY14B104NA-BA25IT

bahagian bahagian: 127

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1069G-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2994

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061G-10BV1XIT

bahagian bahagian: 2927

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

V25FL032A0LMFI001

bahagian bahagian: 802

CY7C1370SV25-167AXC

bahagian bahagian: 2450

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

VM29DL800BT-120WBC

bahagian bahagian: 874

CY14B104NA-BA45XE

bahagian bahagian: 2631

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S29PL127J60BAI000A

bahagian bahagian: 6258

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1061GE18-15BVJXI

bahagian bahagian: 2838

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1145KV18-400BZXCT

bahagian bahagian: 2492

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

CY7C1318KV18-250BZI

bahagian bahagian: 3411

CY7C1372DV25-167AXC

bahagian bahagian: 2556

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1380KV33-167AXC

bahagian bahagian: 2540

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1061GE18-15BVXIT

bahagian bahagian: 2966

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S29PL032J60BFI123A

bahagian bahagian: 6081

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1061G-10BV1XI

bahagian bahagian: 2778

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1911KV18-250BZC

bahagian bahagian: 2705

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (2M x 9), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1061GE30-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2920

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

VM29DL640H90WHI

bahagian bahagian: 5120