Ingatan

CY7C1061GE-10BV1XIT

bahagian bahagian: 2961

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

QMP29GL512R10TFIR10

bahagian bahagian: 9931

S29PL127J60BFI000A

bahagian bahagian: 4621

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S70WS512N00BFWAB2

bahagian bahagian: 339

CY7C1370KV33-200AXI

bahagian bahagian: 2802

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C1051H30-10ZSXI

bahagian bahagian: 2758

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S99AL032DB

bahagian bahagian: 5137

S29PL064J70BFI120A

bahagian bahagian: 6196

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY14B101NA-ZS45XI

bahagian bahagian: 2765

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S99PL127J0230 P

bahagian bahagian: 6431

CY14B104LA-ZS45XI

bahagian bahagian: 2697

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1061GE30-10ZXIT

bahagian bahagian: 2989

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S99-50240

bahagian bahagian: 5905

CY7C1386KV33-167AXC

bahagian bahagian: 2552

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1372KV25-167AXC

bahagian bahagian: 2891

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

S99PL064J0039

bahagian bahagian: 5984

CY7C1372KV33-167AXC

bahagian bahagian: 2878

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1061GE30-10BV1XIT

bahagian bahagian: 3000

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1370KV33-167AXI

bahagian bahagian: 2487

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY15B102N-ZS60XA

bahagian bahagian: 3563

S99-50144

bahagian bahagian: 5915

CY7C1051DV33-10BAXI

bahagian bahagian: 2876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S4013001200B4S020

bahagian bahagian: 243

CY7C1034DV33-10BGXI

bahagian bahagian: 2481

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 6Mb (256K x 24), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S98WS512N0GFW0130F

bahagian bahagian: 493

CY7C1370KV33-250AXC

bahagian bahagian: 2852

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29PL127J60TFI130D

bahagian bahagian: 6292

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S99PL032J0060

bahagian bahagian: 6112

S4013001200B4S010

bahagian bahagian: 177

CY7C1314KV18-250BZC

bahagian bahagian: 2669

S29PL064J70BAI120A

bahagian bahagian: 6172

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S34MS16G202BHI003

bahagian bahagian: 454

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S71PL032J04BFW0K0B

bahagian bahagian: 5795

S99GL064AB

bahagian bahagian: 699

CY7C1911KV18-333BZC

bahagian bahagian: 2575

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (2M x 9), Kekerapan Jam: 333MHz,

CY7C1381KV33-133AXC

bahagian bahagian: 2860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,