Ingatan

CY7C1313KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 2629

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1382KV33-200AXC

bahagian bahagian: 2860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29PL127J70TFI130H

bahagian bahagian: 4670

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY14B101KA-SP25XI

bahagian bahagian: 2870

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1370KV25-200AXC

bahagian bahagian: 2834

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

V29F400BT-150SC

bahagian bahagian: 935

S99F032B

bahagian bahagian: 672

CY7C1312KV18-300BZXCT

bahagian bahagian: 2996

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1061G18-15BV1XIT

bahagian bahagian: 2359

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1314KV18-250BZI

bahagian bahagian: 2628

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1061GE-10ZSXI

bahagian bahagian: 2756

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1370KV33-200AXC

bahagian bahagian: 2797

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29PL032J70BAW120A

bahagian bahagian: 6051

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S99DL324D

bahagian bahagian: 563

FM28V100-TG

bahagian bahagian: 2870

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

S70GL02GT11FHB010

bahagian bahagian: 3417

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1061G-10ZXI

bahagian bahagian: 2426

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1145LV18-400BZXC

bahagian bahagian: 167

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

CY7C1061GE30-10BVJXIT

bahagian bahagian: 2987

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S99GL016A

bahagian bahagian: 680

S98WS512N0GFW0090F

bahagian bahagian: 397

CY7C1370D-167AXC

bahagian bahagian: 2439

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1163KV18-400BZI

bahagian bahagian: 2336

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

CY14B101KA-ZS45XI

bahagian bahagian: 2937

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1381KV33-133AXI

bahagian bahagian: 2505

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY14B101LA-SP45XI

bahagian bahagian: 2774

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1061G-10BVJXI

bahagian bahagian: 2791

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S29PL064J70BAW120A

bahagian bahagian: 6165

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64M (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S29PL032J55BFI120L

bahagian bahagian: 6062

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S4013001270B0C020

bahagian bahagian: 299

CY7C1386KV33-200AXC

bahagian bahagian: 2906

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C1314KV18-250BZXI

bahagian bahagian: 2718

S70GL02GS12FHBV20

bahagian bahagian: 158

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

CY7C1051H30-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2979

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S99GL032AU

bahagian bahagian: 5162

CY7C024E-25AXC

bahagian bahagian: 3493

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (4K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,