Ingatan

CY14B104LA-ZS20XIT

bahagian bahagian: 2893

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

S29PL127J60TAI130

bahagian bahagian: 5771

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29WS256N0SBFW012

bahagian bahagian: 226

S99-50031

bahagian bahagian: 538

CY7C1061GE-10BV1XI

bahagian bahagian: 2768

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S70PL254J00BAWA30

bahagian bahagian: 6482

S29WS128N0PBAW013

bahagian bahagian: 9569

CY7C1061G30-10BVXIT

bahagian bahagian: 2937

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1361C-100AXE

bahagian bahagian: 2679

CY14B104NA-BA25I

bahagian bahagian: 122

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S98WS768P0GFW0100B

bahagian bahagian: 473

S99FL032A0LMFI001

bahagian bahagian: 639

S71PL032J08BAW0B0C

bahagian bahagian: 5803

S99PL127J0160

bahagian bahagian: 6348

CY7C1314KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 2771

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY14B104LA-ZS20XI

bahagian bahagian: 2728

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

S99AL032DU

bahagian bahagian: 597

CY7C1370SV25-200AXC

bahagian bahagian: 2434

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1069G-10ZSXI

bahagian bahagian: 2733

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061G-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061G-10BVXI

bahagian bahagian: 2749

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061GE18-15BVJXIT

bahagian bahagian: 2970

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1069G30-10BVXIT

bahagian bahagian: 2915

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S4012001270B0C010

bahagian bahagian: 236

VS2FL008A0LMAI001

bahagian bahagian: 880

CY14B104NA-ZSP45XI

bahagian bahagian: 2662

CY7C1370KV33-167BZXC

bahagian bahagian: 3177

S29WS128N0PBFW012

bahagian bahagian: 120

S71PL064JA0BFW0Z0

bahagian bahagian: 5909

S99PL127J0040

bahagian bahagian: 6318

S70PL254J00BFWA20G

bahagian bahagian: 6542

S29PL032J60BFI120A

bahagian bahagian: 6094

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1061GE-10BVXIT

bahagian bahagian: 2929

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

SX-3130-1658

bahagian bahagian: 5615

CY7C1061GE18-15BV1XI

bahagian bahagian: 2809

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1061GE-10ZXIT

bahagian bahagian: 2944

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,