Ingatan

FM25040B-GA1TR

bahagian bahagian: 1593

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 14MHz,

S26KS512SDGBHN030

bahagian bahagian: 3974

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CG8232AAT

bahagian bahagian: 1443

CG8102AAT

bahagian bahagian: 8043

S29WS512P0SBFW000

bahagian bahagian: 1264

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 80MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29GL01GT11TFB020

bahagian bahagian: 172

CG7910AA

bahagian bahagian: 7849

S26KS512SDABHN030

bahagian bahagian: 3808

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY62157ELL-55ZSXE

bahagian bahagian: 5553

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

QMP29GL01GP11FAIR10

bahagian bahagian: 1641

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

CG7910AAT

bahagian bahagian: 7808

CG8223AA

bahagian bahagian: 1470

S26KL512SDABHM030

bahagian bahagian: 4062

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY62167G30-45ZXIT

bahagian bahagian: 4806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8255AA

bahagian bahagian: 1575

CY7C1361C-100AXC

bahagian bahagian: 5332

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C1061G30-10BV1XIT

bahagian bahagian: 4686

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S26KS256SDGBHM030

bahagian bahagian: 4711

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1061G30-10BVJXIT

bahagian bahagian: 4745

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY14B101LA-ZS25XIT

bahagian bahagian: 4815

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8231AAT

bahagian bahagian: 1352

CY15B101N-ZS60XA

bahagian bahagian: 4619

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

CG8231AA

bahagian bahagian: 9198

CG7985AA

bahagian bahagian: 7926

CY62156HSL-45BVXI

bahagian bahagian: 6165

CY62157EV30LL-55ZSXE

bahagian bahagian: 7032

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CG8100AA

bahagian bahagian: 8013

QMP29GL01GP11FAIR12

bahagian bahagian: 1583

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

QMP29GL01GP12FAI020

bahagian bahagian: 1625

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

CY14B256LA-SP25XI

bahagian bahagian: 5582

CY7C1049BNL-17VCT

bahagian bahagian: 8113

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 17ns,

QMP29GL01GP11FFSS80

bahagian bahagian: 1633

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

S26KS512SDPBHN020

bahagian bahagian: 3998

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY62167EV30LL-45ZXA

bahagian bahagian: 4809

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1061GN30-10BVJXIT

bahagian bahagian: 136

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CG8233AAT

bahagian bahagian: 1429