Ingatan

S29CD016J0PFFM113

bahagian bahagian: 9468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Kekerapan Jam: 66MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S34ML04G100TFB000

bahagian bahagian: 8068

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY62167G30-55BVXET

bahagian bahagian: 4817

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S29GL512N10FFA010

bahagian bahagian: 3934

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

CG7901AAT

bahagian bahagian: 7936

CY14V101NA-BA25XIT

bahagian bahagian: 4565

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1360S-166AXC

bahagian bahagian: 5366

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY62167G-45ZXI

bahagian bahagian: 4842

CY7C1365C-133BZI

bahagian bahagian: 4740

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (256K x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

CG8223AAT

bahagian bahagian: 1389

CG8232AA

bahagian bahagian: 1482

CG8102AA

bahagian bahagian: 8040

CG8101AA

bahagian bahagian: 7945

CY7C1356C-166AXI

bahagian bahagian: 4889

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C1364C-166BZI

bahagian bahagian: 4751

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (256K x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

QMP29GL01GP11TAIR20

bahagian bahagian: 1650

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

S34ML08G101TFI203

bahagian bahagian: 7176

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1360C-200AXC

bahagian bahagian: 5335

S25FL116K0XNFV013

bahagian bahagian: 3412

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S34MS01G200TFI003

bahagian bahagian: 6814

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S25FL032P0XNFV010

bahagian bahagian: 4295

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

CG8214AAT

bahagian bahagian: 7733

S29AL008J70WHN029

bahagian bahagian: 3183

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S25FL116K0XBHIS20

bahagian bahagian: 4243

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S40410081B1B1W000

bahagian bahagian: 5404

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29AL016J70WEI029

bahagian bahagian: 7367

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S25FL116K0XNFV011

bahagian bahagian: 5546

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S34ML04G200TFA000

bahagian bahagian: 6090

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S29AS008J70BFA042

bahagian bahagian: 3761

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY7C1357C-133AXC

bahagian bahagian: 5620

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

S25FL129P0XBHV303

bahagian bahagian: 7385

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S25FL164K0XMFIS10

bahagian bahagian: 4544

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S34MS01G200TFA000

bahagian bahagian: 6974

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S34ML01G100TFV000

bahagian bahagian: 4908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S34ML04G200TFB000

bahagian bahagian: 5172

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S29PL064J70BAI122

bahagian bahagian: 7455

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,